PBRN113E NXP Semiconductors, PBRN113E Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: PBRN113E
• Description: Pbrn113e Series Npn 800 Ma, 40 V Biss Rets; R1 = 1 Kohm, R2 = 1 Kohm
• Manufacturer: NXP Semiconductors

NXP Semiconductors
PBRN113E_SER_1
Product data sheet
Fig 7. DC current gain as a function of collector
Fig 9. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
h
CEsat
(V)
10
10
10
FE
10
10
10
1
1
3
2
1
10
1
2
V
current; typical values
I
function of collector current; typical values
10
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
1
B
(1)
(2)
(3)
= 5 V
= 50
= 100 C
= 25 C
= 40 C
= 100 C
= 25 C
= 40 C
1
10
10
(1)
(2)
(3)
2
I
C
10
(mA)
2
I
006aab004
006aab006
C
(mA)
10
10
Rev. 01 — 1 March 2007
3
3
NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 1 k , R2 = 1 k
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
Fig 10. Collector-emitter saturation voltage as a
V
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
CEsat
CEsat
(V)
(V)
10
10
10
10
1
1
2
1
2
I
function of collector current; typical values
I
function of collector current; typical values
10
10
C
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
/I
/I
B
B
= 20
= 100
= 100 C
= 25 C
= 40 C
= 100 C
= 25 C
= 40 C
(1)
(2)
(3)
PBRN113E series
10
10
2
2
(1)
(2)
(3)
I
I
C
C
(mA)
(mA)
© NXP B.V. 2007. All rights reserved.
006aab005
006aab007
10
10
3
3
9 of 17