T930N Infineon Technologies, T930N Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: T930N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T930N

• Vdrm/ Vrrm (v): 3,200.0 - 3,600.0 V
• Itsm: 17,500.0 A
• Itavm: 930 (180 ° el sin)
• Housing: Disc dia 75mm height 26mm / Ceramic
• Configuration: Phase Control Thyristors / SCR

IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann
N
Phase Control Thyristor
Netz-Thyristor
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1
Typical dependency of maximum overload on-state current I
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
2
3
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
4
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V
Datenblatt / Data sheet
5
6
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
I
T(OV)M
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
7
= f (pulses, V
T930N
8
A 05/09
T(OV)M
9
RM
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
) ; T
10
vj
= T
T(OV)M
vjmax
11
as a number of a sequence of
12
RM
13
RM
14
Seite/page
15
16
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
17
9/10