T718N Infineon Technologies, T718N Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: T718N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T718N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,200.0 - 1,600.0 V
• Itsm: 12,500.0 A
• Itavm: 718 (180 ° el sin)
• Housing: Disc dia 60mm height 14mm
• Configuration: Phase Control Thyristors / SCR

T 718 N T 719 N
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-
Spitzensperrspannung
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand für
beidseitige Kühlung
für anodenseitige Kühlung
für kathodenseitige Kühlung
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
Si-Elemente mit Druckkontakt
Anpreßkraft
Gewicht
Kriechstrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
Maßbild, anliegend
* Für größere Stückzahlen Liefertermin erfragen / Delivery for larger quantities on request
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
non-repetitive peak forward off-state
voltage
non-repetitive peak reverse voltage
RMS on-state current
average on-state current
surge current
I
critical rate of rise of on-state current
critical rate of rise of off-state voltage
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
forward off-state and reverse currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
thermal resistance, junction to case for
two-sided cooling
for anode-sided cooling
for cathode-sided cooling
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Si-pellet with pressure contact
clamping force
weight
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
outline, attached
Electrical properties
Maximum rated values
Characteristic values
Thermal properties
Mechanical properties
2
t-value
t
t
t
t
t
t
t
t
t
v
v
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
i
t
t
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
DC
DC
DC
beidseitig/two-sided
einseitig/one-sided
T 718 N/T 719 N
T 718 N/T 719 N
DIN 40040
f = 50 Hz
DIN 41814-153 D4/-153C4
GM
vj
vj
vj
c
c
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
D
L
=25°C, i
= 85°C
= 64°C
= -40°C...t
= -40°C...t
= +25°C...t
= 25°C, t
= t
= 25°C, t
= t
= t
= t
= t
= t
= 25 °C, v
= 25 °C, v
= t
= t
= 25 °C, v
= 25 °C,v
= t
=180° el, sin
=180° el, sin
=180° el, sin
= 10 V, i
= 1 A, di
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max,
67%, v
, t
, t
, v
, i
, v
, v
GM
v
GM
T
p
p
p
p
D
D
D
D
D
DRM
G
D
D
D
= 10 ms
= 10 ms
= 3 kA
vj max
vj max
= 10 ms
= 10 ms
= V
= 1 A, di
vj max
= 67% V
= 6 V
= 0,5 V
= 1 A, di
= 6 V, R
/dt = 1 A/µs, t
= 6 V
= 6 V
= 6 V, R
, f = 50 Hz
DRM
, v
DRM
G
GK
G
DRM
R
A
/dt = 1 A/µs
/dt = 1 A/µs
= V
= 5
10
g
RRM
= 20 µs
V
V
V
I
I
I
I
(di
(dv/dt)
v
V
r
I
V
I
V
I
I
i
t
t
R
R
R
R
t
t
t
F
G
D
TRMSM
TAVM
TSM
2
GT
GD
H
L
gd
q
vj max
c op
stg
T
T
DRM
DSM
RSM
T(TO)
GT
GD
, i
thJC
thJC(A)
thJC(K)
thCK
t
T
R
/dt)
, V
= V
cr
cr
RRM
DRM
1200 1400 1600*
1200 1400 1600*
1300 1500 1700
600 800 1000
600 800 1000
700 900 1100
typ. 160/270
max. 0,036 °C/W
1,051 . 10
0,781 . 10
max. 0,038 °C/W
max. 0,068 °C/W
max. 0,065 °C/W
max. 0,082 °C/W
max. 0,005 °C/W
-40...+125
-40...+140
max. 1,94
max. 0,08 °C/W
max. 0,01 °C/W
max. 250
max. 300
max. 1,5
max. 0,2
max. 1,5
typ. 250
max. 10
max. 80
max. 4
14500
12500
9...18
17/25
1500
1000
0,85
0,35
719
955
120
125
50
6
6
A/µs
V/µs
m/s²
m
mm
A
A
mA
mA
mA
mA
kN
µs
µs
°C
°C
°C
2
2
C
V
V
V
A
A
A
A
A
V
V
V
V
A
g
s
s