DD242S Infineon Technologies, DD242S Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: DD242S
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of DD242S

• Vdrm/ Vrrm (v): 600.0 - 1,000.0 V
• Itsm: 7,500.0 A
• Itavm/tc: 240/100 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 50 mm
• Features: Fast Diode

I
[A]
Z
[°C/W]
RM
thJC
250
200
150
100
0.18
0.16
0.14
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
50
0
0
10
0
DD 242 S2
Bild / Fig. 1
Typische Abhängigkeit der oberen Rückstromspitze von der
abkommutierenden Stromsteilheit -di
Typical realationship between the maximum peak reverse recovery
current and the rate ofdecay of forward current -di
Bild / Fig. 3
Transienter innerer Wärmewiderstand Z
förmigem Stromverlauf.
Transient thermal impedance Z
and trapetzodial current waveform.
DD 241 / 242 S1
DC
-3
2 3 4 6
20
40
10
=180°
=60°
120°
180°
-2
2 3 4 6
60
80
10
-1
(th)JC
2 3 4 6
100
, junction to case per arm at sinusoidal
F
/dt bei t
(th)JC
120
10
je Zweig bei sinus- und trapez-
vj max
0
2 3 4 6
140
F
-di
.
/dt at t
T [s]
F
/dt [A/µs]
160
vj max
10
i
1
FM
=
180 200
2 3 4 6
1000A
500A
200A
100A
50A
10
2
Q
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
R
250
200
150
100
thJC
s
n
As
thn
50
0
[s]
Pos. n
[°C/W]
=
0
DD 242 S3
Bild / Fig. 2
Typische Abhängigkeit der oberen Sperrverzögerungsladung Q
abkommutierenden Stromsteilheit -di
Typical realationship between the maximum recovered charge Q
rate of decay of forward current -di
n
n=1
max
20
R
thn
0,0031
0,0009
(1-e
1
40
-
t
n
)
0,0097
60
0,008
2
80
0,0257
3
0,11
F
100
/dt at t
F
/dt bei t
0,0529
4
0,61
120
vj max
vj max
thJC
0,0526
140
per arm for DC
-di
.
5
3,06
F
thJC
/dt [A/µs]
160
pro Zweig für DC
DD 242 S
i
6
FM
=
s
180 200
s
von der
and the
1000A
500A
200A
100A
50A
7