DZ1070N Infineon Technologies, DZ1070N Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: DZ1070N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of DZ1070N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,800.0 - 2,800.0 V
• Ifsm (max): 35,000.0 A
• Ifavm/tc: 1070/100 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 70 mm
• Features: Rectifier Diode

BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rüther
N
Rectifier Diode Module
160
140
120
100
2000
1500
1000
Netz-Dioden-Modul
80
60
40
20
500
Diagramme
0
0
0
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
Calculation base P
300
Berechungsgrundlage P
300
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
Datenblatt / Data sheet
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Durchgangsverluste
Gehäusetemperatur
600
Θ = 60 ° rec
TAV
600
Θ = 60 ° rec
(switching losses should be considered separately)
A21/00
TAV
DZ1070N
Diagramme
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
900
120 ° rec
120 ° rec
900
I
180 ° sin
FAV
180 ° sin
[A]
180 ° rec
1200
1200
180 ° rec
I
FAVM
FAV
[A]
= f(I
C
FAV
1500
= f(I
1500
)
Seite/page
FAVM
)
DC
DC
1800
1800
6/9