DT170N Infineon Technologies, DT170N Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: DT170N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of DT170N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,200.0 V
• Itsm: 4,600.0 A
• Itavm/tc: 170/85 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 50 mm
• Features: Diode / SCR Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Spec
N
140
120
100
140
120
100
Netz-Thyristor-Modul
80
60
40
20
80
60
40
20
0
0
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
50
Calculation base P
Calculation base P
Berechnungsgrundlage P
Berechnungsgrundlage P
Gehäusetemperatur bei Rechteck
50
Gehäusetemperatur bei Sinus
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Q = 30°
100
Datenblatt / Data sheet
TAV
TAV
Q = 30°
(switching losses should be considered separately)
(switching losses should be considered separately)
A513E2
TAV
60°
TAV
100
150
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
(Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
TT170N
I
TAVM
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
90°
I
TAVM
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
[A]
60°
[A]
200
120°
150
90°
250
180°
0°
0°
120°
200
300
C
C
= f(I
= f(I
Seite/page
TAVM
TAVM
0
0
180°
)
)
350
DC
180°
180°
7/12
250