TD375N Infineon Technologies, TD375N Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: TD375N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of TD375N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,800.0 - 2,200.0 V
• Itsm: 10,600.0 A
• Itavm/tc: 375/85 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 60 mm
• Features: SCR Diode Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / BIP AC / 02-09-24, C. Drilling
N
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
Netz-Thyristor-Modul
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
0
0
0,03
0,04
0,05
0,08
0,12
0,20
0,25
0,30
0,02
0,06
0,10
0,15
0,40
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
0,005
0,020
0,025
0,030
0,040
0,060
0,100
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient R
0,010
0,015
0,050
0,080
0,120
0,200
20
20
40
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
40
Maximaler Strom bei W1C und W3C
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
T
A
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
[°C]
R
thCA
60
60
[°C/W]
R
T
A
Datenblatt / Data sheet
thCA
[°C]
[°C/W]
80
80
~
~
A 15/02
100
W 3C
100
~
~
W 1C
~
~
~
~
I
RMS
I
RMS
Parameter:
Parameter:
TT375N
120
120
0
0
400
400
I
RMS
RMS
RMS
800
800
[A]
tot
tot
I
RMS
Seite/page
[A]
Vorläufige Daten
Preliminary data
thCA
thCA
1200
1200
9/12