TD170N Infineon Technologies, TD170N Datasheet - Page 8

• Manufacturer Part Number: TD170N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of TD170N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,200.0 - 1,800.0 V
• Itsm: 4,600.0 A
• Itavm/tc: 170/85 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 50 mm
• Features: SCR Diode Phase Control

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / Warstein,den 03.04.85 Spec
N
1400
1200
1000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
800
600
400
200
Netz-Thyristor-Modul
0
0
0
0
0,20
0,25
0,30
0,40
0,60
0,03
0,10
0,12
0,15
0,05
0,06
0,08
0,05
0,06
0,08
0,25
0,04
0,03
0,04
0,10
0,12
0,15
0,20
0,30
0,40
0,50
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
20
20
0,02
0,02
40
40
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
T
T
A
A
R
[°C]
[°C]
Maximaler Strom bei B2 und B6
thCA
60
R
60
[°C/W]
thCA
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
[°C/W]
Datenblatt / Data sheet
3~
80
80
~
A513E2
100
B6
100
B2
I
D
I
D
Parameter:
Parameter:
TT170N
+
-
120
+
-
120
0
0
100
100
200
200
300
I
D
[A]
I
D
[A]
D
D
tot
tot
R-Last
R-load
300
400
Seite/page
L-Last
L-load
500
400
thCA
thCA
600
8/12
500