PMEG2010EH_EJ_ET NXP Semiconductors, PMEG2010EH_EJ_ET Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: PMEG2010EH_EJ_ET
• Description: Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifiers with anintegrated guard ring for stress protection, encapsulated in small Surface-MountedDevice (SMD) plastic packages
• Manufacturer: NXP Semiconductors

NXP Semiconductors
PMEG2010EH_EJ_ET_4
Product data sheet
Fig 1. Forward current as a function of forward
Fig 3. Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
(mA)
(1) T
(2) T
(3) T
(4) T
(5) T
I
10
10
F
10
10
10
1
3
2
1
2
voltage; typical values
f = 1 MHz; T
0
amb
amb
amb
amb
amb
(1)
= 150 C
= 125 C
= 85 C
= 25 C
= 40 C
0.1
(2)
amb
(3)
= 25 C
0.2
(4)
0.3
(pF)
C
(5)
120
d
80
40
0
0
0.4
006aaa247
V
F
(V)
4
0.5
Rev. 04 — 20 March 2007
8
Fig 2. Reverse current as a function of reverse
12
( A)
I
1 A very low V
R
(1) T
(2) T
(3) T
(4) T
(5) T
10
10
10
10
10
10
10
10
1
5
4
3
2
1
2
3
voltage; typical values
0
amb
amb
amb
amb
amb
16
006aaa249
V
PMEG2010EH/EJ/ET
= 150 C
= 125 C
= 85 C
= 25 C
= 40 C
R
(V)
4
20
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
F
MEGA Schottky barrier rectifiers
8
12
© NXP B.V. 2007. All rights reserved.
16
006aaa248
V
R
(V)
20
5 of 11