PDMB400B12 Nihon Inter Electronics (NIEC), PDMB400B12 Datasheet

PDMB400B12

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PDMB400B12

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Nihon Inter Electronics (NIEC)

Datasheet

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Bonase Electronics (HK) Co., Limited

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PDMB400B12

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NIEC

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Bonase Electronics (HK) Co., Limited

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PDMB400B12

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NIEC

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726

Company:

HONG KONG JIETUO ZIJING INTERNATIONAL TRADING CO., LIMITED

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PDMB400B12

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Bonase Electronics (HK) Co., Limited

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PDMB400B12C

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NIEC

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Bonase Electronics (HK) Co., Limited

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PDMB400B12C

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NIEC

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334

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HONG KONG JIETUO ZIJING INTERNATIONAL TRADING CO., LIMITED

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PDMB400B12C

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■回路図 CIRCUIT

■最大定格 Maximum Ratings（T

■電気的特性 Electrical Characteristics（T

コレクタ・エミッタ間電圧

Collector-Emitter Voltage

ゲート・エミッタ間電圧

Gate-Emitter Voltage

コレクタ電流

Collector Current

コレクタ損失

Collector Power Dissipation

接合温度

Junction Temperature Range

保存温度

Storage Temperature Range

絶縁耐圧（端子−ベース間，AC１分間）

Isolation Voltage （ Terminal to Base, AC１min.）

締付トルク

Mounting Torque

コレクタ遮断電流

Collector-Emitter Cut-Off Current

ゲート漏れ電流

Gate-Emitter Leakage Current

コレクタ・エミッタ間飽和電圧

Collector-Emitter Saturation Voltage

ゲートしきい値電圧

Gate-Emitter Threshold Voltage

入力容量

Input Capacitance

スイッチング時間

Switching Time

IGBT

Characteristic

項目

Item

ベース取付部

Module Base to Heatsink

端子部

Busbar to Terminal

上昇時間

Rise Time

ターン・オン時間

Turn-On Time

下降時間

Fall Time

ターン・オフ時間

Turn-Off Time

1ms

■外形寸法図 OUTLINE DRAWING

＝25℃）

Symbol

400 A 1200 V

記号

CE （ sat）

GE （ th）

CES

GES

CES

GES

off

stg

tor

iso

ies

PDMB400B12

＝25℃）

＝400A, V

＝1.5Ω

＝1Ω

＝1200V, V

＝±20V, V

＝5V, I

＝10V, V

＝600V

＝±15V

質量：約650g

─ 485 ─

Test Conditions

条件

＝400mA

＝15V

＝0V, f＝1MHz

＝0V

Rated Value

−40∼＋150

−40∼＋125

定格値

3（30.6）

1200

±20

1900

2500

400

800

最小

Min.

4.0

─

PDMB400B12C

33000

Typ.

標準

PDMB400B12C

0.25

0.40

0.25

0.80

1.9

─

（単位 Dimension：mm）

質量：約500g

Max.

最大

4.00

1.00

2.40

8.00

0.45

0.70

0.35

1.10

─

（kgf ・ cm）

（RMS）

N ・ m

単位

Unit

単位

Unit

μ A

μ s

℃

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... ＝±15V GE t off ─ 485 ─ PDMB400B12C PDMB400B12C （単位 Dimension：mm）質量：約500g PDMB400B12C 1200 ±20 400 800 1900 2500 3（30.6）（kgf ・ cm）最小標準最大 Min. Typ. ...

Wheeling Diode Ratings & Characteristics（T 項目 Item DC 順電流 Forward Current 1ms 項目 Characteristic 順電圧 Peak Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time ■熱的特性 Thermal Characteristics 項目 Characteristic IGBT 熱抵抗 Thermal Impedance Diode ■定格・特性曲線 Fig. 1 Output Characteristics（Typical） Fig. 3 Collector ...

Page 3

Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time（Typical） Fig. 9 Reverse Recovery Capacitance （Typical） Fig. 11 Transient Thermal Impedance Fig. 8 Forward Characteristics of Free Wheeling Diode（Typical） Fig. 10 Reverse Bias Safe Operating Area（Typical） ─ 487 ─ ...

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