PHMB600B12 Nihon Inter Electronics (NIEC), PHMB600B12 Datasheet
PHMB600B12
Manufacturer Part Number
PHMB600B12
Description
Manufacturer
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet
1.PHMB600B12.pdf
(3 pages)
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
PHMB600B12
Manufacturer:
SUS
Quantity:
100
Part Number:
PHMB600B12
Quantity:
60
IGBT
□ 回 路 図 :
□ 最 大 定 格 :
□ 電 気 的 特 性 :
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
□ 熱 的 特 性 :
(E)
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
接
Junction Temperature Range
保
Storage Temperature Range
絶
Isolation Voltage
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
順
Forward Current
順
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
Reverse Recovery Time
熱
Thermal Impedance
4
(G)
3
縁
力
合
存
電
抵
電
耐
容
(E)
CIRCUIT
温
温
2
Module
Characteristic
Characteristic
Characteristic
圧
抗
MAXIMUM RATINGS
圧(Terminal to Base AC,1minute)
量
流
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL CHARACTERISTICS
度
度
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
上 昇 時 間 Rise
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall
ターンオフ時間 Turn-off Time
-Single
Item
Item
(C)
1
FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
□ 外 形 寸 法 図 :
IGBT
1ms
1ms
Diode
DC
DC
2 -M4
(T
Time
Time
6 00 A,1200V
C
=25℃)
4
13
3
日本インター株式会社
PH MB600B12
21
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
LABEL
V
1 1 0
Rth(j-c)
93
V
CE(sat)
V
V
T
V
F
I
I
C
t
GE(th)
2
± 0 .2 5
I
t
I
t
OUTLINE DRAWING
I
P
T
t
t
I
V
CES
GES
stg
ISO
tor
CES
GES
ies
off
CP
on
FM
rr
C
C
j
r
f
F
F
29
1
(T
V
V
I
V
V
V
R
R
V
I
I
di/dt= 1200A/μs
Junction to Case
C
Test Condition
Test Condition
Test Condition
CE
GE
C
CE
CE
CC
L
G
GE
F
F
= 1Ω
= 1Ω
=25℃)
= 600A,V
= 600A,V
= 600A,V
= 1200V,V
= ±20V,V
= 5V,I
= 10V,V
= 600V
= ±15V
M4
M6
M8
4 - Ø6.5
2 -M8
C
GE
GE
GE
= 600mA
GE
GE
CE
= 15V
= 0V
= -10V
= 0V,f= 1MH
4 - Ø6.5
2 -M6
= 0V
= 0V
2 -M4
10.5(107)
Rated Value
Rated Value
1.4(14.3)
-40~+150
-40~+125
3(30.6)
3(30.6)
1,200
1,200
2,800
1,200
2,500
Z
±20
600
600
PHMB600B12
PHMB600B12C
24
4
Min.
Min.
Min.
11
9
3
-
-
-
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
PH MB600B12C
20
LABEL
2
108
93
QS043-401M0055 (2/4)
Typ.
0.25
0.40
0.25
0.80
Typ.
0.25
Typ.
50,000
1.9
1.9
29
-
-
-
-
-
1
0.044
0.085
(T
Max.
0.45
0.70
0.35
1.10
Max.
0.35
Max.
1.0
2.4
2.4
12
8
-
Dimension:[mm]
C
=25℃)
Unit
(kgf・cm)
Unit
Unit
Unit
Unit
V
N・m
℃/W
mA
μA
pF
μs
μs
(RMS)
V
V
A
W
℃
℃
V
V
A
V
Related parts for PHMB600B12
PHMB600B12 Summary of contents
Page 1
IGBT Module -Single □ 回 路 図 : CIRCUIT (E) (C) ( (G) 3 MAXIMUM RATINGS □ 最 大 定 格 : Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Gate-Emitter Voltage ...
Page 2
Fig.1- Output Characteristics 1200 V =20V 12V GE 15V 1000 800 600 400 200 Collector to Emitter Voltage V Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage 16 I =300A C ...
Page 3
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time 10 V =600V CC I =600A =±15V GE T =25℃ 0.5 0.2 0.1 0.05 0.1 0.2 0.5 1 Series Gate Impedance R Fig.9- Reverse Recovery ...