PHMB400E6 Nihon Inter Electronics (NIEC), PHMB400E6 Datasheet

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PHMB400E6

Manufacturer Part Number
PHMB400E6
Description
Manufacturer
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet
IGBT
□ 回 路 図 :
□ 最 大 定 格 :
□ 電 気 的 特 性 :
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
□ 熱 的 特 性 :
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Isolation Voltage
締 め 付 け ト ル ク
Mounting Torque
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
Forward Current
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
Reverse Recovery Time
Thermal Impedance
(E)
4
(G)
3
CIRCUIT
(E)
Module-Single
2
Characteristic
Characteristic
Characteristic
MAXIMUM RATINGS
圧(Terminal to Base AC,1minute)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
THERMAL CHARACTERISTICS
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
上 昇 時 間 Rise
ターンオン時間 Turn-on Time
下 降 時 間 Fall
ターンオフ時間 Turn-off Time
Item
Item
(C)
FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
1
IGBT
1ms
1ms
Diode
DC
DC
□ 外 形 寸 法 図 :
(T
Time
Time
=25℃)
2 -M6
4 - Ø6.5
400 A,600V
日本インター株式会社
2 -M4
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
Rth(j-c)
CE(sat)
GE(th)
CES
GES
stg
ISO
tor
CES
GES
ies
off
CP
on
FM
rr
OUTLINE DRAWING
(T
24
(Tc測定点チップ直下)
4
di/dt= 800A/μs
Junction to Case
11
Test Condition
Test Condition
Test Condition
CE
GE
CE
CE
CC
GE
9
3
=25℃)
= 400A,V
= 400A,V
= 400A,V
= 0.75Ω
= 3.0Ω
M4
M6
= 600V,V
= ±20V,V
= 5V,I
= 10V,V
= 300V
= ±15V
20
LABEL
2
108
93
29
GE
GE
GE
= 400mA
GE
GE
CE
= 15V
= 0V
= -10V
= 0V,f= 1MH
= 0V
1
= 0V
Rated Value
Rated Value
1.4(14.3)
-40~+150
-40~+125
3(30.6)
3(30.6)
2,500
1470
600
±20
400
800
400
800
Min.
Min.
Min.
PHMB400E6
4.0
Typ.
0.15
0.30
0.10
0.40
Typ.
0.15
Typ.
QS043-402-20393(2/5)
20,000
1.9
2.1
(T
0.20
Max.
0.35
0.85
0.25
0.80
Max.
0.25
Max.
0 .0 8 5
1.0
1.0
2.4
2.6
8.0
Dimension:[mm]
=25℃)
Unit
(kgf・cm)
Unit
Unit
Unit
Unit
N・m
℃/W
mA
μA
pF
μs
μs
(RMS)
00

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PHMB400E6 Summary of contents

Page 1

IGBT Module-Single CIRCUIT □ 回 路 図 : (E) (C) ( (G) 3 □ 最 大 定 格 : MAXIMUM RATINGS Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Gate-Emitter Voltage コ ...

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Fig.1- Output Characteristics (Typical) 800 V =20V GE 700 15V 600 500 400 300 200 100 Collector to Emitter Voltage V Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical ...

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Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.8 t OFF 0 0 0 100 200 300 Collector Current I Fig.9- Collector Current vs. Switching Time ...

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Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode 800 T =25°C C 600 400 200 Forward Voltage 3x10 -1 1x10 -2 3x10 -2 1x10 -3 3x10 -3 1x10 -4 3x10 -5 10 (Typical) ...

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