PVD110-12 Nihon Inter Electronics (NIEC), PVD110-12 Datasheet - Page 2

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PVD110-12

Manufacturer Part Number
PVD110-12
Description
Manufacturer
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet
Integrated Module
□ 最 大 定 格 : Maximum Ratings (T C =25℃)
□ 電 気 的 特 性 : Electrical Characteristics(T c =25℃ Unles otherwise noted)
TENTATIVE
Operating junction temperature rang
Storage temperature range
Isolation voltage
Isolation resistance
締 め 付 け ト ル ク
Mounting torque
Snubber
3 Phase
Rectification
Switch
Diode
Thyristor
Brake
Diode
C h a r a c t e r i s t i c
圧 (Terminal to Base )
抗 (Terminal to Base D C 5 0 0 V )
コ レ ク タ ・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Collector-Emitter voltage
ゲ ー ト ・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter voltage
コ レ ク タ 電 流
Collector current
コ レ ク タ 損 失
Collector power dissipation
繰り返し ピーク 逆電圧
Repetitive peak reverse voltage
直 流 順 電 流
Forward Current ,DC
サ ー ジ 順 電 流
Surge Forward Current
ピ ー ク 逆 電 流
Peak reverse current
ピ ー ク 順 電 圧
Peak Forward Voltage
ピ ー ク オフ 電 流
Peak off-state current
ピ ー ク 逆 電 流
Peak reverse current
ピ ー ク オン 電 圧
Peak on-state voltage
ト リ ガ ゲ ー ト 電 流
Gate current to trigger
ト リ ガ ゲ ー ト 電 圧
Gate voltage to trigger
非 ト リ ガ ゲ ー ト 電 圧
Gate voltage to non-trigger
臨 界 オ フ 電 圧 上 昇 率
Critical rate of rise of
Module base to Heatsink
off- state voltage
1 m s
D C
*1
*1
S y m b o l
dv/dt
CES
GES
RRM
FSM
stg
iso
iso
tor
DM
RM
TM
GT
GT
GD
CP
jw
R
F
C
C
F
(125∼150℃はサイリスタ部に順・逆電圧印加しない事)
R M
D M
R M
= 50A
= 50A
= 6V
= 1A
= 6V
= 1A
= 2/3V
= 125℃
= 150℃
= 125℃
= 125℃
C o n d i t i o n
= V
= V
= V
T e s t
R R M
D R M
R R M
D R M
= -40℃
= 25℃
= 125℃
= -40℃
= 25℃
= 125℃
−40∼+150
−40∼+125
2 ,5 0 0 (A C ,1minute)
3 ,0 0 0 (A C ,1Second)
M4: 1 . 4 ( 1 4 . 3 )
1 2 0 0
1 2 0 0
±2 0
1 8 6
5 0 0
25
5 0
1 5
7 0
M i n .
0 .2 5
5 0 0
PVD110−12
T y p .
M a x .
1 .4 5
1 .3 0
2 0 0
1 0 0
4 .0
2 .5
2 .0
1 0
5 0
5 0
5 0
(kgf・cm)
V /μ s
U n i t
m A
m A
m A
N ・m
MΩ
( R M S )

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