BSM50GD120DN2G Infineon Technologies AG, BSM50GD120DN2G Datasheet
BSM50GD120DN2G
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BSM 50 GD 120 DN2G IGBT Power Module • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 50 GD 120 DN2G Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage R ...
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BSM 50 GD 120 DN2G Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage °C ...
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BSM 50 GD 120 DN2G Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 Gon Rise time V = 600 V, ...
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BSM 50 GD 120 DN2G Power dissipation tot C parameter: T 150 °C j 450 W P 350 tot 300 250 200 150 100 Collector current ...
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BSM 50 GD 120 DN2G Typ. output characteristics parameter µ ° 100 A 17V 15V 80 I 13V C 11V ...
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BSM 50 GD 120 DN2G Typ. gate charge Gate parameter puls 600 120 ...
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BSM 50 GD 120 DN2G Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± ...
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BSM 50 GD 120 DN2G Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter 100 =125° 0.0 0.5 1.0 ...
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BSM 50 GD 120 DN2G Package Outlines Dimensions in mm Weight: 300 g Circuit Diagram 9 Oct-01-2003 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produkte s für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen ...