PDMB400A6_1 Nihon Inter Electronics (NIEC), PDMB400A6_1 Datasheet
Home By Request Nihon Inter Electronics (NIEC) PDMB400A6_1
Manufacturer Part Number
PDMB400A6_1
Manufacturer
Nihon Inter Electronics (NIEC)
■回路図 CIRCUIT
■最大定格 Maximum Ratings(T
■電気的特性 Electrical Characteristics(T
C2E1
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-Emitter Voltage
コレクタ電流
Collector Current
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
接合温度
Junction Temperature Range
保存温度
Storage Temperature Range
絶縁耐圧 (端子−ベース間,AC1分間)
Isolation Voltage ( Terminal to Base, AC1min.)
締付トルク
Mounting Torque
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲートしきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入力容量
Input Capacitance
スイッチング時間
Switching Time
IGBT
Characteristic
項 目
項 目
E2
Item
ベース取付部
Module Base to Heatsink
端子部
Busbar to Terminal
上昇時間
Rise Time
ターン・オン時間
Turn-On Time
下降時間
Fall Time
ターン・オフ時間
Turn-Off Time
DC
1ms
C
Symbol
Symbol
=25℃)
V
V
V
V
記号
記号
T
I
I
CE ( sat)
400 A 600 V
V
F
GE ( th)
C
I
t
t
P
CES
GES
I
T
CES
GES
t
t
CP
on
off
stg
tor
C
iso
ies
r
C
f
j
C1
G2
E2
E1
G1
V
V
I
V
V
V
R
R
V
C
C
=25℃)
L
G
CE
GE
CE
CE
CC
GE
=400A, V
=0.75Ω
=1.6Ω
=600V, V
=±20V, V
=5V, I
=10V, V
=300V
=±15V
─ 409 ─
Test Conditions
■外形寸法図 OUTLINE DRAWING
条 件
C
=400mA
GE
GE
GE
=15V
=0V, f=1MHz
CE
=0V
=0V
Rated Value
−40∼+150
−40∼+125
定 格 値
3(30.6)
±20
1470
2500
600
400
800
最小
Min.
4.0
─
─
─
─
─
─
─
─
40000
Typ.
標準
2.1
0.25
0.45
0.2
0.6
─
─
─
PDMB400A6
(単位 Dimension:mm)
Max.
最大
500
4.0
2.6
8.0
0.45
0.85
0.35
0.8
─
(kgf ・ cm)
V
(RMS)
N ・ m
単位
単位
Unit
Unit
mA
nA
pF
μ s
W
℃
℃
A
V
V
V
V
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PDMB400A6_1 Summary of contents
IGBT ■回路図 CIRCUIT C2E1 E2 ■最大定格 Maximum Ratings(T 項 目 Item コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-Emitter Voltage ゲート・エミッタ間電圧 Gate-Emitter Voltage DC コレクタ電流 Collector Current 1ms コレクタ損失 Collector Power Dissipation 接合温度 Junction Temperature Range 保存温度 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 (端子−ベース間,AC1分間) Isolation Voltage ( Terminal to Base, AC1min.) ...
Wheeling Diode Ratings & Characteristics(T 項 目 Item DC 順電流 Forward Current 1ms 項 目 Characteristic 順電圧 Peak Forward Voltage 逆回復時間 Reverse Recovery Time ■熱的特性 Thermal Characteristics 項 目 Characteristic IGBT 熱抵抗 Thermal Impedance Diode 記号 定 格 値 Symbol Rated Value ...
Fig. 1 Output Characteristics(Typical) Fig. 3 Collector to Emitter on Voltage vs. Gate to Emitter Voltage(Typical) Fig. 5 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage(Typical) Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time(Typical) Fig. 2 Collector to Emitter on Voltage ...
Fig. 9 Reverse Recovery Capacitance (Typical) Fig. 11 Transient Thermal Impedance Fig. 10 Reverse Bias Safe Operating Area ─ 412 ─ I G B T モ ジ ュ ー ル ...
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