PDM5001 Nihon Inter Electronics (NIEC), PDM5001 Datasheet

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PDM5001

Manufacturer Part Number
PDM5001
Description
Manufacturer
Nihon Inter Electronics (NIEC)
Datasheet
MOSFET
□ MOS−FET電 気 的 特 性 :
□内蔵逆方向ダイオードの定格と特性:
□ 熱 的 特 性 :
□ 回 路 図 :
□ 最 大 定 格 :
スイッチング時間
Switching Time
ド レ イ ン ・ ソ − ス 間 電 圧 Drain-Source Voltage
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧
ド レ イ ン 電 流 Drain Current
パ ル ス ド レ イ ン 電 流
全 損 失
動 作 接 合 温 度 Junction Temperature Range
保 存 温 度
絶 縁 耐 圧
Mounting Torque
ドレイン遮断電流 Zero Gate Voltage Drain Current
ゲート漏れ電流 Gate-Source Leakage Current
ゲートしきい値電圧 Gate-Source Threshold Voltage
ドレイン・ソース間オン抵抗(MOSFET部) Drain-Source On-Resistance
ドレイン・ソース間オン電圧 Drain-Source On-Voltage
順伝達コンダクタンス Forward Transconductance
入 力 容 量 Input Capacitance
出 力 容 量 Output Capacitance
帰 還 容 量 Reverse Transfer Capacitance
ソ−ス電流 Continuous Source Current
パルスソ−ス電流 Pulsed Source Current
Pulsed Source Current
ダイオード順電圧 Diode Forward Voltage
Diode Forward Voltage
逆回復時間 Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Time
接合・ケ−ス間熱抵抗
Thermal Impedance, Junction to Case
締 め 付 け ト ル ク
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Isolation Voltage
Characteristic
Characteristic
Characteristic
CIRCUIT
MAXIMUM RATINGS
ターンオン遅延時間
ターンオフ遅延時間
THERMAL CHARACTERISTICS
Module
Module Base to Heatsink
Busbar to Main Terminal
Item
Gate-Source Voltage
Pulsed Drain Current
MOS-FET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Source-Drain DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
Dual
Turn-on Delay Time
Turn-off Delay Time
Rise
Fall
Time
Time
(T
500 A,100V
=25℃)
日本インター株式会社
Symbol
Symbol
Symbol
Symbol
□ 外 形 寸 法 図 :
Rth(j-c)
Gfs
DS(on)
DS(on)
GS(th)
iss
oss
rss
DSS
d(on)
d(off)
GSS
stg
ISO
tor
DSS
GSS
rr
DM
SM
SD
D2S1端子
DC 端子温度=80℃
Duty=50%
Terminal to Base AC,1minute
V
V
Duty=50%
DC 端子温度=80℃
MOS-FET
GS
DS
Test Condition
Test Condition
Test Condition
Test Condition
GS
DS
GS
DS
GS
GS
DD
GS
=10V,I
=15V,I
=500A
=500A ,-dis/dt=1000A/μs
=250A
=1.0Ω
3.7
4.0
G
S
S
G
=0V
= 100V,V
= ±20V,V
=V
=10V,I
=0V V
=50V
=-5V,+10V
1
1
2
2
(端子間)
GS
OUTLINE DRAWING
D
D
=500A
=500A
18.0
,I
DS
=500A
GS
=10V
DS
=16mA
28.0
10.0
= 0V
= 0V
110.0±1.0
93.0±0.25
80.0
18.0
f=1MH
L C
L C
10.0
28.0
(T
4-φ6.5
18.0
=25℃)
S2端子
Min.
Min.
Min.
1.0
Rated Value
-
−40∼+150
−40∼+125
D1端子
2,000
3-M8
1,000
1,250
QS043-401M0545 (2/4)
0.85
PDM5001
Typ.
(0.55)
Typ.
Typ.
155
5.3
350
150
450
135
0.25
60
70
0.5
(T
100
±20
500
390
12
Dimension:[mm]
Approximate Weight:620g
34.3MAX.
=25℃)
1.0
1.3
1,000
27.2
Max.
Max.
Max.
0.10
24.9
(0.62)
0.5
500
390
1.0
2.5
0.56
0.30
+0.2
-0.5
Unit
Unit
Unit
Unit
℃/W
N・m
mA
mA
nF
nF
nF
ns
ns
(RMS)
S
01

Related parts for PDM5001

PDM5001 Summary of contents

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Drain-Source Voltage ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 ...

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Fig.1- Output Characteristics (Typical) 1000 V =10V 800 4V 600 400 200 0 0 0.4 0.8 1.2 Drain to Source Voltage V Fig.3- Drain to Source On Voltage vs. Junction Temperature (Typical) 0.6 ...

Page 3

Fig.7- Drain Current vs. Switching Time (Typical) 1 0.3 0.1 0.03 0. Drain Current I Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) 300 -I =500A S T =125℃ J trr 100 30 I RrM 10 ...

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