RQ1E050RPTR Rohm Semiconductor, RQ1E050RPTR Datasheet

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Drive Pch MOSFET RQ1E050RP  Structure Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low On-resistance. 2) High power package drive.  Application Switching  Packaging specifications Package Type Code Basic ordering unit (pieces) RQ1E050RP  Absolute maximum ratings (Ta ...

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RQ1E050RP  Electrical characteristics (Ta = 25C) Parameter Symbol Gate-source leakage Drain-source breakdown voltage V Zero gate voltage drain current Gate threshold voltage V Static drain-source on-state R resistance Forward transfer admittance Input capacitance Output capacitance Reverse transfer capacitance Turn-on ...

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RQ1E050RP  Electrical characteristic curves -3.0V GS Ta=25°C 4 Pulsed V = -10V -2. -4. -4. -2. 0.2 0.4 ...

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RQ1E050RP 200 Ta=25°C 180 Pulsed 160 140 I = -2.5A D 120 100 I = -5. GATE-SOURCE VOLTAGE : -V GS Fig.10 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Gate Source Voltage 10000 ...

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RQ1E050RP  Measurement circuits D.U. Fig.1-1 Switching time measurement circuit D.U.T. I G(Const Fig.2-1 Gate charge ...

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OA機器、 通信機器、 家電製品、 アミューズメント機器など） への使用を意図しています。 本資料に掲載されております製品は、 「耐放射線設計」 はなされておりません。 ロームは常に品質・信頼性の向上に取り組んでおりますが、 ...