BSM25GD120DLCE3224 Infineon Technologies, BSM25GD120DLCE3224 Datasheet
BSM25GD120DLCE3224
Specifications of BSM25GD120DLCE3224
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BSM25GD120DLCE3224 Summary of contents
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... Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current prepared by: Mark Münzer approved by: M. Hierholzer BSM25GD120DLCE3224 ° ° ms 80° =25°C, Transistor C ...
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... Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip module lead resistance, terminals – chip Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy BSM25GD120DLCE3224 I = 25A 600V ±15V 25° ...
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... Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. BSM25GD120DLCE3224 Transistor / transistor, DC Diode/Diode, DC pro Modul / per module ...
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... Tj = 125° 0,0 0,5 1,0 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 50 VGE = 17V 45 VGE = 15V VGE = 13V 40 VGE = 11V VGE = 9V 35 VGE = 0,0 0,5 1,0 BSM25GD120DLCE3224 15V GE 1,5 2,0 2 1,5 2,0 2,5 3,0 V [ 3,0 3,5 4 125°C 3,5 4,0 ...
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... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical 0,0 0,5 BSM25GD120DLCE3224 25° 125° [ 25° 125°C 1,0 1,5 V [ 20V 2,0 2,5 3,0 Seriendatenblatt_BSM25GD120DLC-E3224.xls ...
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... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 9 Eoff 8 Eon Erec Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 16 Eoff 14 Eon Erec BSM25GD120DLCE3224 off C rec V =15V = 600V gon goff [ off V =15V , I = 25A , V = 600V , 120 150 180 6( 125° rec G = 125°C ...
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... Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM25GD120DLCE3224 IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 10 1 0,1 0,01 0,001 0, [K/kW] : IGBT i [sec] : IGBT i r [K/kW] : Diode i [sec] : Diode i Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA IC,Modul IC,Chip 200 (t) thJC Zth:Diode Zth:IGBT 0,1 ...
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... Technische Information / Technical Information BSM25GD120DLCE3224 IGBT-Module IGBT-Modules Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 8(8) Seriendatenblatt_BSM25GD120DLC-E3224 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...