MCH3377-TL-E SANYO, MCH3377-TL-E Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: MCH3377-TL-E
• Description: MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3
• Manufacturer: SANYO

Specifications of MCH3377-TL-E

• Fet Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide
• Fet Feature: Logic Level Gate
• Rds On (max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Drain To Source Voltage (vdss): 20V
• Current - Continuous Drain (id) @ 25° C: 3A
• Gate Charge (qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
• Input Capacitance (ciss) @ Vds: 375pF @ 10V
• Power - Max: 1W
• Mounting Type: Surface Mount
• Package / Case: 3-MCPH
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Vgs(th) (max) @ Id: -
• Other names: 869-1169-2

--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
100
300
250
200
150
100
1.0
0.1
10
10
50
--0.01
0
--0.1
0
7
5
3
2
7
5
3
2
2
7
5
3
2
7
5
0
0
I D = --0.2A
V DS = --10V
I D = --3A
2
--1
2
3
1
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
5 7
3
--2
Total Gate Charge, Qg -- nC
--1.0A
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
--0.1
SW Time -- I D
--1.5A
5
--3
V GS -- Qg
⏐
2
y
7
2
fs⏐ -- I D
--1.0
--4
3
5 7
3
--5
--1.0
2
--6
3
2
V DD = --10V
V GS = --4V
V DS = --10V
4
3
Ta=25°C
5
--7
IT13010
IT13012
IT13014
IT13016
5 7
7
MCH3377
--10
--10
--8
5
--0.001
--0.01
--0.01
1000
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
--10
100
250
200
150
100
50
--0.01
0
--60
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
Ta=25°C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
--40
2 3
--2
--0.2
--20
--4
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
5 7
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
Operation in this area
is limited by R DS (on).
--0.1
0
--6
--0.4
R DS (on) -- Ta
20
2 3
I S -- V SD
--8
A S O
40
Ciss
--0.6
--10
5 7
60
--1.0
--12
80
--0.8
2
2 3
✕0.8mm)
--14
100
No. A0957-3/4
5
--16
120
--1.0
PW≤10µs
7
V GS =0V
f=1MHz
--10
--18
140
IT13017
IT13011
IT13013
IT13015
2
--1.2
160
--20
3