DD800S17K6C_B2 Infineon Technologies, DD800S17K6C_B2 Datasheet

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DD800S17K6C_B2

Manufacturer Part Number
DD800S17K6C_B2
Description
Rectifiers 1.7KV 800A
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of DD800S17K6C_B2

Product
Standard Recovery Rectifier
Configuration
Dual Parallel
Reverse Voltage
1700 V
Forward Voltage Drop
2.5 V
Forward Continuous Current
800 A
Reverse Current Ir
5000 uA
Mounting Style
Screw
Package / Case
IHM130
If (max)
800.0 A
Vrrm (max)
1,700.0 V
Rthjc (max)
0.034 K/W
Housing
IHM 130 mm

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
DD800S17K6C_B2
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Part Number:
DD800S17K6C_B2
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
DD800S17K6C_B2
Quantity:
55
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Durchlaßspannung
forward voltage
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
Modulinduktivität
stray inductance module
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
prepared by:
approved by: Christoph Lübke; 2001-11-09
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Charakteristische Werte / Characteristic values
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
A. Wiesenthal
T
t
V
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
I
I
V
I
V
V
I
V
V
I
V
V
pro Diode / per Diode
pro Zweig / per arm
date of publication: 06.11.2001
revision: 1 (preliminary)
DD 800 S 17 K6C B2
p
F
F
F
F
F
vj
R
R
R
R
R
R
R
R
= 1 ms
= 800A, V
= 800A, V
= 800A, - di
= 800A, - di
= 800A, - di
= 25°C
= 0V, t
= 1700V, T
= 900V, T
= 900V, T
= 900V, T
= 900V, T
= 900V, T
= 900V, T
p
= 10ms, T
GE
GE
vj
vj
vj
vj
vj
vj
F
F
F
/dt = 6300A/µsec
= 25°C
/dt = 6300A/µsec
= 25°C
/dt = 6300A/µsec
= 25°C
vj
= 0V, T
= 0V, T
= 125°C
= 125°C
= 125°C
= 25°C
1(5)
Vj
vj
vj
= 125°C
= 25°C
= 125°C
R
V
V
CC´+EE´
I
L
E
I
FRM
V
I
ISOL
Q
CES
I
RM
sAC
I
2
R
rec
F
F
t
r
vorläufige daten
preliminary data
min.
1700
1600
typ.
0,16
800
170
710
860
135
265
155
2,1
2,1
75
20
4
max.
DD800S17K6CB2_V.xls
2,5
2,5
5
mWs
mWs
kA
µAs
µAs
mW
mA
nH
kV
V
A
A
V
V
A
A
2
s

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Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral der Diode value, Diode Isolations-Prüfspannung insulation ...

Page 2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical ...

Page 3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 1600 1400 1200 1000 800 600 400 200 0 0,0 0,5 DD 800 S 17 K6C B2 Tvj = 25°C Tvj = 125°C ...

Page 4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 0,01 0,001 0,001 0, [K/kW] : Diode i J [sec] : Diode i DD 800 S 17 K6C (t) thJC 0,1 ...

Page 5

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Äußere Abmessungen / external dimensions DD 800 S 17 K6C B2 5(5) DD800S17K6CB2_V.xls ...

Page 6

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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