FD400R65KF1-K Infineon Technologies, FD400R65KF1-K Datasheet

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FD400R65KF1-K

Manufacturer Part Number
FD400R65KF1-K
Description
IGBT Modules N-CH 6.3KV 800A
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of FD400R65KF1-K

Configuration
Dual
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
6300 V
Continuous Collector Current At 25 C
800 A
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
IHV190

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FD400R65KF1-K
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Part Number:
FD400R65KF1-K
Quantity:
55
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Teilentladungs Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Dr. Oliver Schilling
approved by: Dr. Schütze 2002-08-30
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Charakteristische Werte / Characteristic values
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
T
T
T
t
T
t
V
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
I
I
I
V
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication: 2002-08-30
revision/Status: Series 1
FD 400 R 65 KF1-K
P
P
C
C
C
vj
vj
vj
C
C
C
R
GE
CE
CE
CE
= 1 ms, T
= 1 ms
=25°C, Transistor
= 400A, V
= 400A, V
= 70mA, V
=125°C
=25°C
=-40°C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
= -15V ... +15V
= 6300V, V
= 6500V, V
= 0V, V
p
= 10ms, T
vj
GE
C
GE
GE
= 25°C,V
CE
= 80°C
= 20V, T
= 15V, T
= 15V, T
GE
GE
= V
= 0V, T
= 0V, T
PD
GE
typ. 10pC (acc. To IEC 1287)
, T
vj
CE
= 125°C
vj
vj
vj
1
vj
= 25V, V
= 25°C
= 25°C
= 125°C
vj
vj
= 25°C
= 25°C
= 125°C
GE
= 0V
V
V
I
V
V
V
V
C,nom.
I
I
C
I
I
P
CRM
CE sat
GE(th)
Q
FRM
CES
GES
I
ISOL
ISOL
CES
I
GES
I
2
C
tot
F
ies
G
t
min.
6,4
-
-
-
-
-
-
+/- 20V
6500
6300
5800
typ.
10,2
400
800
800
400
800
0,4
7,4
5,1
4,3
5,3
7,0
5,6
87
56
40
-
max.
FD 400 R65 KF1-K (final 1).xls
400
4,9
5,9
8,1
-
-
-
k A
kW
mA
mA
µC
kV
kV
nF
nA
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
2
s

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Page 3

Technische Information / Technical Information FD 400 R 65 KF1-K IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Transistor / transistor, DC Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC pro Modul / per Module Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to ...

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Technische Information / Technical Information FD 400 R 65 KF1-K IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) 800 25°C 700 125°C 600 500 400 300 200 100 0 0,0 1,0 2,0 3,0 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 800 20V 700 ...

Page 5

Technische Information / Technical Information FD 400 R 65 KF1-K IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) 800 700 600 500 400 300 200 100 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 800 ...

Page 6

Technische Information / Technical Information FD 400 R 65 KF1-K IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 11000 10000 9000 Eon Eoff 8000 Erec 7000 6000 5000 4000 3000 2000 1000 0 0 100 200 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) ...

Page 7

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 800 700 600 Tvj=125°C 500 Tvj=25°C 400 300 200 100 0 2000 2500 3000 Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA) safe operation area Diode (SOA) 800,0 ...

Page 8

Technische Information / Technical Information FD 400 R 65 KF1-K IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 0,01 0,001 0,001 0, [K/kW] : IGBT i [s] : IGBT i r [K/kW] : Diode i [s] : Diode ...

Page 9

Technische Information / Technical Information FD 400 R 65 KF1-K IGBT-Module IGBT-Modules Äußere Abmessungen / extenal dimensions Anschlüsse / Terminals siehe Anschlussschaltbild oben / see cuircuit diagram above 9 FD 400 R65 KF1-K (final 1).xls ...

Page 10

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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