TZ425N14KOF Infineon Technologies, TZ425N14KOF Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: TZ425N14KOF
• Description: Discrete Semiconductor Modules 1400V 800A SINGLE
• Manufacturer: Infineon Technologies
• Type: Rectifier Diode Moduler

Specifications of TZ425N14KOF

• Mounting Style: Screw
• Output Current: 800 A
• Reverse Voltage: 1400 V
• Typical Delay Time: 4 uS
• Package / Case: TZ425
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant

Phase Control Thyristor Module
BIP AC / 2004-03-11; C. Drilling
N
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
Gewicht
weight
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Steueranschlüsse
control terminals
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Netz-Thyristor-Modul
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
A 09/04
DIN 46 244
f = 50 Hz
file-No.
Toleranz / Tolerance ± 15%
Toleranz / Tolerance ± 10%
T
v
dv
5.Kennbuchstabe / 5
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Modul / per Module
TZ425N
RM
vj
D
= T
/dt = 20 V/µs, -di
= 100 V, v
vj max
, i
TM
DM
= I
= 0,67 V
TAVM
T
/dt = 10 A/µs
th
letter O
DRM
t
R
R
T
T
T
V
q
M1
M2
G
vj max
c op
stg
thJC
thCH
ISOL
Seite/page
max.
max.
max.
typ.
typ.
A 2,8 x 0,8
-40...+125 °C
-40...+130 °C
E 83336
Seite 3
page 3
0,0780
0,0745
0,02 °C/W
AlN
900 g
250 µs
125 °C
3,0
3,6
12
15 mm
50 m/s²
5
°C/W
°C/W
kV
kV
Nm
Nm
2/12