6MBI75S-120-50 FUJI ELECTRIC, 6MBI75S-120-50 Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: 6MBI75S-120-50
• Description: 6-PACK IGBT MODULE 75A 1200V NPT
• Manufacturer: FUJI ELECTRIC

Specifications of 6MBI75S-120-50

• Module Configuration: Six
• Transistor Polarity: N Channel
• Dc Collector Current: 75A
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.6V
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
• Transistor Case Style: Module
• No. Of: RoHS Compliant
• Power Dissipation Pd: 520W
• Rohs Compliant: Yes

7. Applicable category (適用範囲)
8. Storage and transportation notes (保管・運搬上の注意事項)
10. Packing and Labeling (梱包仕様)
6. Indication on module (モジュール表示)
9. Definitions of switching time (スイッチング時間の定義)
Logo of production
・ The module should be stored at a standard temperature of 5 to 35℃ and
・ Store modules in a place with few temperature changes in order to avoid
・ Avoid exposure to corrosive gases and dust.
・ Avoid excessive external force on the module.
・ Store modules with unprocessed terminals.
・ Do not drop or otherwise shock the modules when tranporting.
Display on the packing box
- Logo of production
- Type name
- Lot No
- Products quantity in a packing box
Lot.No.
This specification is applied to IGBT Module named 6MBI75S-120-50 .
本納入仕様書は ＩＧＢＴモジュール
humidity of 45 to 75% .
Be careful to solderability of the terminals if the module has passed over one
year from manufacturing date, under the above storage condition.
常温・常湿保存が望ましい。 ( 5∼35℃, 45∼75%)
本保存条件下で、製造から1年以上経過した場合は端子はんだ付け性に
十分注意すること。
condensation on the module surface.
急激な温度変化のなきこと。 (モジュール表面が結露しないこと)
腐蝕性ガスの発生場所，塵埃の多い場所は避けること。
製品に荷重がかからないように 十分注意すること。
モジュールの端子は未加工の状態で保管すること。
製品の運搬時に衝撃を与えたり、落下させたりしないこと。
R
G
V
GE
V
CE
6MBI75S-120-50
Ic
75A 1200V
L
a
Vcc
0V
0V
0A
V
V
Ic
６ＭＢＩ７５Ｓ−１２０−５０ に適用する。
GE
CE
Place of manufacturing (code)
10%
90%
t
on
t
r
t
t
r(i)
rr
10%
MS5F 6104
I
rr
Ic
V
CE
90%
t
off
90%
t
f
10%
0V
H04- 004- 03a
5
14
a