PEMH18 NXP Semiconductors, PEMH18 Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: PEMH18
• Description: TRANSISTOR,NPN/NPN W/RES,50V,SOT666
• Manufacturer: NXP Semiconductors

Specifications of PEMH18

• Module Configuration: Dual
• Transistor Polarity: NPN
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V
• Power Dissipation Pd: 300mW
• Dc Collector Current: 100mA
• Operating Temperature Range: -65°C To +150°C
• Dc Current Gain Hfe: 50
• Rohs Compliant: Yes
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant

NXP Semiconductors
PEMH18_PUMH18_3
Product data sheet
Fig 1.
Fig 3.
V
h
(V)
I(on)
(1) T
(2) T
(3) T
10
(1) T
(2) T
(3) T
FE
10
10
10
10
10
−1
3
2
1
2
1
10
10
V
DC current gain as a function of collector
current; typical values
V
On-state input voltage as a function of
collector current; typical values
−1
−1
CE
amb
amb
amb
CE
amb
amb
amb
= 5 V
= 0.3 V
= 100 °C
= 25 °C
= −40 °C
= −40 °C
= 25 °C
= 100 °C
1
1
10
10
(2)
(2)
I
I
C
C
(1)
(3)
006aaa178
(mA)
006aaa180
(mA)
(1)
(3)
NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 10 kΩ
Rev. 03 — 20 November 2009
10
10
2
2
Fig 2.
Fig 4.
V
V
(mV)
CEsat
(V)
I(off)
(1) T
(2) T
(3) T
10
(1) T
(2) T
(3) T
10
10
10
10
−1
1
3
2
10
1
I
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
V
Off-state input voltage as a function of
collector current; typical values
C
−2
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
B
= 5 V
= 20
= 100 °C
= 25 °C
= −40 °C
= −40 °C
= 25 °C
= 100 °C
PEMH18; PUMH18
10
−1
(1)
(2)
(3)
10
(2)
1
(1)
I
(3)
C
(mA)
I
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.
C
006aaa179
006aaa181
(mA)
10
10
2
5 of 9