K4S161622D-TC/L10 Samsung semiconductor, K4S161622D-TC/L10 Datasheet - Page 15

• Manufacturer Part Number: K4S161622D-TC/L10
• Description: 512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM
• Manufacturer: Samsung semiconductor

K4S161622D
4. CAS Interrupt (II) : Read Interrupted by Write & DQM
*Note : 1. To prevent bus contention, there should be at least one gap between data in and data out.
(a) CL=2, BL=4
(b) CL=3, BL=4
i) CMD
ii) CMD
iii) CMD
iv) CMD
i) CMD
ii) CMD
iii) CMD
iii) CMD
iv) CMD
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
DQM
CLK
CLK
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
RD
RD
RD
RD
RD
RD
RD
RD
RD
WR
D
WR
D
Hi-Z
0
0
WR
Hi-Z
WR
D
Q
D
D
D
0
1
0
0
1
Note 1
WR
Hi-Z
WR
Q
D
Hi-Z
D
D
D
D
D
0
0
0
2
1
2
1
Note 1
Hi-Z
WR
WR
D
D
D
D
D
D
D
D
3
2
0
1
2
0
3
1
WR
D
D
D
D
D
D
D
3
2
1
3
2
0
1
D
D
D
D
D
3
2
3
2
1
D
D
D
3
3
2
D
3
CMOS SDRAM