MCH6660-TL-H SANYO [Sanyo Semicon Device], MCH6660-TL-H Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: MCH6660-TL-H
• Description: General-Purpose Switching Device Applications
• Manufacturer: SANYO [Sanyo Semicon Device]

--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
700
600
500
400
300
200
100
1.0
0.1
10
--0.01
--0.1
5
3
2
7
5
3
2
0
0
5
3
2
7
5
3
2
7
0
0
V DS = --10V
I D = --1.5A
0.2
--1
2
0.4
--2
3
2
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
I D = --0.1A
--0.75A
Total Gate Charge, Qg -- nC
--0.3A
5
0.6
--3
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
3
SW Time -- I D
7
V GS -- Qg
|
--0.1
0.8
--4
y
fs | -- I D
5
1.0
--5
t d (on)
2
7
1.2
--6
3
--1.0
1.4
--7
5
7
V DD = --10V
V GS = --4.5V
V DS = --10V
--1.0
1.6
--8
Ta=25 ° C
2
1.8
--9
IT16648
IT14618
IT14620
IT14622
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
2
MCH6660
--10
2.0
3
3
--0.01
--0.01
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
--10
100
700
600
500
400
300
200
100
10
--0.1
--60 --40 --20
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
0
Ta=25° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm
I DP = --6A (PW≤10μs)
I D = --1.5A
--2
2
Operation in
this area is
limited by R DS (on).
--0.2
3
--4
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
5 7
0
--6
--0.4
--1.0
R DS (on) -- Ta
20
I S -- V SD
--8
2
A S O
40
--0.6
--10
3
60
2
5 7
×0.8mm) 1unit
--12
80
--0.8
--10
--14
100
No. A1993-5/9
2
--16
120
--1.0
3
V GS =0V
f=1MHz
--18
140
IT16649
IT14619
IT16650
IT14621
5 7 --100
[Pch]
[Pch]
[Pch]
[Pch]
--1.2
160
--20