PBSS4140DPN NXP Semiconductors, PBSS4140DPN Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: PBSS4140DPN
• Description: 40 V low VCEsat NPN/PNP transistor
• Manufacturer: NXP Semiconductors

www.DataSheet.co.kr
Philips Semiconductors
2001 Dec 13
handbook, halfpage
handbook, halfpage
40 V low V
TR2 (PNP); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.7
V CEsat
TR2 (PNP); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.9
(mV)
h FE
1200
800
400
10
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
1
3
2
1
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
C
CE
/I
B
= 5 V.
= 10.
1
CEsat
10
10
NPN/PNP transistor
10
(3)
(2)
2
(1)
10
(1)
(2)
(3)
2
10
10
3
I C (mA)
3
I C (mA)
MLD638
MLD640
10
10
4
4
7
handbook, halfpage
handbook, halfpage
TR2 (PNP); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.8
TR2 (PNP); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.10 Equivalent on-resistance as a function of
R CEsat
( )
V BE
10
10
(V)
10
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
1
1
1
2
1
10
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
collector current; typical values.
1
1
C
CE
/I
B
= 5 V.
= 10.
1
1
10
10
PBSS4140DPN
10
10
(1)
(1)
(2)
(3)
(2)
(3)
2
2
Product specification
10
10
I C (mA)
3
I C (mA)
3
MHC127
MLD639
10
10
4
4
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/