FF200R33KF2 Eupec GmbH & Co KG, FF200R33KF2 Datasheet

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FF200R33KF2

Manufacturer Part Number
FF200R33KF2
Description
Manufacturer
Eupec GmbH & Co KG
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FF200R33KF2
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Part Number:
FF200R33KF2
Quantity:
55
Part Number:
FF200R33KF2B1
Manufacturer:
Infinoen
Quantity:
1 000
Part Number:
FF200R33KF2C
Manufacturer:
SEIKO
Quantity:
12 000
Part Number:
FF200R33KF2C
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Company:
Part Number:
FF200R33KF2C
Quantity:
200
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Spitzenverlustleistung der Diode
maximum power dissipation diode
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Teilentladungs-Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Gateladung
gate charge
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Jürgen Göttert/O. Schilling
approved by: Chr. Lübke; 03.12.99
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Charakteristische Werte / Characteristic values
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
T
T
t
T
t
V
T
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
I
I
I
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication : 3.12.99
revision: 3
FF 200 R 33 KF2
P
P
C
C
C
V
j
j
C
C
C
j
R
CE
CE
CE
= 25°C
= -25°C
= 1 ms, T
= 1 ms
= 125°C
GE
=25°C, Transistor
= 200A, V
= 200A, V
= 20 mA, V
= 80°C
= 25 °C
= 0V, t
= 3300V, V
= 3300V, V
= 0V, V
= -15V ... + 15V, V
p
vj
vj
= 10ms, T
C
GE
GE
GE
= 25°C,V
= 25°C,V
= 80°C
CE
= 20V, T
= 15V, Tvj = 25°C
= 15V, T
GE
GE
= V
1 (9)
PD
= 0V, T
= 0V, T
GE
Vj
CE
CE
, T
10 pC (acc. to IEC 1287)
vj
= 125°C
vj
= 25V, V
= 25V, V
CE
vj
= 25°C
= 125°C
vj
vj
= 25°C
= 1800V
= 25°C
= 125°C
GE
GE
= 0V
= 0V
V
V
I
P
V
V
V
V
C,nom.
I
I
I
C
C
I
P
CRM
CE sat
GE(th)
Q
FRM
CES
GES
I
RQM
ISOL
ISOL
CES
I
GES
I
2
C
ies
res
tot
F
G
t
vorläufiges Datenblatt
preliminary data sheet
min.
4,2
-
-
-
-
-
-
-
-
Datenblatt FF 200 R 33 KF2 prelim (2)
+/- 20V
13.900
6.000
2.600
3300
3300
typ.
2,19
3,40
4,30
200
330
400
200
400
200
5,1
1,4
25
10
4
5
-
max.
4,25
400
6,0
-
-
-
-
-
-
A
kW
kW
mA
µC
µA
nA
nF
nF
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
V
V
03.12.99
2
s

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FF200R33KF2 Summary of contents

Page 1

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom ...

Page 2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) ...

Page 3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical ...

Page 4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) 400 T = 25°C 350 T = 125°C 300 250 200 150 100 50 0 0,0 0,5 1,0 1,5 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) VGE = 8V 400 ...

Page 5

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) 400 T = 25°C 350 T = 125°C 300 250 200 150 100 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) ...

Page 6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 125°C 1600 Eon Eoff 1400 Erec 1200 1000 800 600 400 200 100 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 1800 Eon 1600 Eoff Erec 1400 1200 ...

Page 7

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Sicherer Arbeitsbereich IGBT (RBSOA) Reverse bias safe operation area IGBT (RBSOA) 450 400 350 300 250 200 150 100 500 1000 Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA) safe operation area Diode (SOA) ...

Page 8

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 1 Zth:IGBT Zth:Diode 0,1 0,01 0,001 0,001 0, [K/kW] : IGBT i [sec] : IGBT i r [K/kW] : Diode i [sec] : Diode i FF ...

Page 9

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram FF 200 R 33 KF2 9 (9) vorläufiges Datenblatt preliminary data sheet Datenblatt FF 200 R 33 KF2 prelim (2) 03.12.99 ...

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