MCH6336-P-TL-E ON Semiconductor, MCH6336-P-TL-E Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: MCH6336-P-TL-E
• Description: MOSFET
• Manufacturer: ON Semiconductor

Specifications of MCH6336-P-TL-E

• Transistor Polarity: P-Channel
• Drain-source Breakdown Voltage: - 12 V
• Continuous Drain Current: - 5 A
• Resistance Drain-source Rds (on): 43 mOhms
• Mounting Style: SMD/SMT
• Package / Case: MCPH-3
• Power Dissipation: 1.5 W

1000
100
160
140
120
100
1.0
0.1
10
10
80
60
40
20
--5
--4
--3
--2
--1
--0.01
--0.01
0
0
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
0
0
I D = --0.5A
--0.1
2
2
--1
3
3
--0.2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
5 7
5 7
--2
--0.3
--1.5A
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
--0.1
--0.1
--3.0A
SW Time -- I D
--3
|
--0.4
I D -- V DS
y
fs | -- I D
2
2
--0.5
--4
3
3
5 7
5 7
--0.6
--5
--1.0
--1.0
--0.7
--6
V GS = --1.0V
V DD = --6V
V GS = --4.5V
2
2
--0.8
V DS = --6V
3
3
Ta=25°C
--7
--0.9
IT12987
IT12989
IT12991
IT12993
5 7
5 7
MCH6336
--1.0
--10
--10
--8
--0.001
--0.01
1000
--1.0
--0.1
100
--10
120
100
--6
--5
--4
--3
--2
--1
80
60
40
20
0
0
--60
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
5
0
0
0
--40
--0.2
--2
--20
--0.5
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Ambient Temperature, Ta -- °C
0
--0.4
--4
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
--1.0
I S -- V SD
40
Ciss
--0.6
--6
60
--1.5
80
--0.8
--8
100
No. A0958-3/7
--2.0
120
V DS = --6V
--1.0
--10
V GS =0V
f=1MHz
140
IT12988
IT12990
IT12992
IT12994
--2.5
--1.2
160
--12