KMM5322204C2W SAMSUNG [Samsung semiconductor], KMM5322204C2W Datasheet - Page 4
![no-image](/images/no-image-200.jpg)
KMM5322204C2W
Manufacturer Part Number
KMM5322204C2W
Description
2M x 32 DRAM SIMM using 1Mx16 , 1K Refresh, 5V
Manufacturer
SAMSUNG [Samsung semiconductor]
Datasheet
1.KMM5322204C2W.pdf
(17 pages)
DRAM MODULE
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
RAS0
A0-A9
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
W
A0-A9
A0-A9
RAS
LCAS
UCAS
OE
RAS
LCAS
UCAS
OE
Vcc
Vss
W
W
U0
U1
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ0-DQ15
DQ16-DQ31
.1 or .22uF Capacitor
for each DRAM
- 4 -
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
A0-A9
A0-A9
U2
U3
KMM5322204C2W/C2WG
UCAS
UCAS
To all DRAMs
LCAS
LCAS
W
W
RAS
RAS
OE
OE
Rev. 0.0 (Nov. 1997)
CAS0
CAS1
CAS2
CAS3
RAS1