K4H560838F-TC/LA2 SAMSUNG [Samsung semiconductor], K4H560838F-TC/LA2 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: K4H560838F-TC/LA2
• Description: 256Mb F-die DDR SDRAM Specification
• Manufacturer: SAMSUNG [Samsung semiconductor]

DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16)
Pin Description
AP/A
LDQS
V
V
V
LDM
V
V
CAS
RAS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
BA
BA
V
V
WE
V
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
NC
DDQ
NC
NC
NC
CS
A
A
A
A
DD
DD
DD
10
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
0
1
2
3
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Organization
AP/A
16Mx16
V
V
V
V
V
CAS
RAS
32Mx8
DQ
DQ
DQ
DQ
V
V
BA
BA
V
WE
DDQ
DDQ
DDQ
NC
SSQ
NC
NC
SSQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CS
NC
A
A
A
A
DD
DD
DD
10
0
1
2
3
0
1
0
1
2
3
Row & Column address configuration
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
256Mb TSOP-II Package Pinout
(0.65mm Pin Pitch)
(400mil x 875mil)
Bank Address
Auto Precharge
66Pin TSOPII
16Mb x 16
Row Address
32Mb x 8
BA0~BA1
A0~A12
A0~A12
A10
Column Address
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
A0-A9
A0-A8
V
DQ
V
NC
DQ
V
NC
DQ
V
NC
DQ
V
NC
NC
V
DQS
NC
V
V
DM
CK
CK
CKE
NC
A
A
A
A
A
A
A
A
V
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
REF
SS
12
11
9
8
7
6
5
4
SS
7
6
5
4
Rev. 1.3 October, 2004
V
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
NC
V
UDQS
NC
V
V
UDM
CK
CK
CKE
NC
A
A
A
A
A
A
A
A
V
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
REF
SS
12
11
9
8
7
6
5
4
SS
15
14
13
12
11
10
9
8
DDR SDRAM