K4H1G0438M-LA2 SAMSUNG [Samsung semiconductor], K4H1G0438M-LA2 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: K4H1G0438M-LA2
• Description: 1Gb M-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
• Manufacturer: SAMSUNG [Samsung semiconductor]

DDR SDRAM 1Gb M-die (x4, x8) Pb-Free
Pin Description
AP/A
V
V
V
V
V
CAS
RAS
DQ
DQ
DQ
DQ
BA
BA
V
V
WE
V
DDQ
NC
SSQ
NC
DDQ
NC
SSQ
NC
NC
DDQ
NC
NC
NC
NC
A
CS
A
A
A
A
DD
DD
DD
13
10
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
0
1
2
3
0
1
0
1
2
3
Organization
AP/A
256Mx4
128Mx8
V
V
V
CAS
RAS
V
V
DQ
DQ
BA
BA
V
V
WE
V
NC
DDQ
NC
NC
NC
DDQ
NC
NC
NC
DDQ
NC
NC
NC
NC
SSQ
SSQ
A
CS
A
A
A
A
DD
DD
DD
10
13
Row & Column address configuration
0
1
0
1
0
1
2
3
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
1Gb TSOP-II Package Pinout
(0.65mm Pin Pitch)
(400mil x 875mil)
128Mb x 8
256Mb x 4
Bank Address
Auto Precharge
66Pin TSOPII
BA0~BA1
Row Address
A0~A13
A0~A13
A10
Column Address
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
A0-A9, A11, A12
A0-A9, A11
Revision 1.1 October, 2004
V
NC
V
NC
DQ
V
NC
NC
V
NC
DQ
V
NC
NC
V
DQS
NC
V
V
DM
CK
CK
CKE
NC
A
A
A
A
A
A
A
A
V
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
REF
SS
SS
12
11
9
8
7
6
5
4
3
2
V
DQ
V
NC
DQ
V
NC
DQ
V
NC
DQ
V
NC
NC
V
DQS
NC
V
V
DM
CK
CK
CKE
NC
A
A
A
A
A
A
A
A
V
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
REF
SS
SS
12
11
9
8
7
6
5
4
7
6
5
4
DDR SDRAM