MC74HC595ANG ON Semiconductor, MC74HC595ANG Datasheet - Page 3
![IC SHIFT REGISTER 8BIT 3ST 16DIP](/photos/6/54/65493/16-dip_648_sml.jpg)
MC74HC595ANG
Manufacturer Part Number
MC74HC595ANG
Description
IC SHIFT REGISTER 8BIT 3ST 16DIP
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
74HCr
Type
Not Requiredr
Specifications of MC74HC595ANG
Logic Type
Shift Register
Output Type
Standard
Number Of Elements
1
Number Of Bits Per Element
8
Function
Serial to Parallel
Voltage - Supply
2 V ~ 6 V
Operating Temperature
-55°C ~ 125°C
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
16-DIP (0.300", 7.62mm)
Counting Sequence
Serial to Serial/Parallel
Number Of Circuits
2
Logic Family
74HC
Propagation Delay Time
140 ns, 100 ns, 28 ns, 24 ns
Supply Voltage (max)
6 V
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Operating Supply Voltage
2 V to 6 V
Circuit Type
Low-Power Schottky
Current, Supply
160 μA
Function Type
8-Bits
Logic Function
Register
Package Type
PDIP-16
Special Features
Tri-State
Temperature, Operating, Range
-55 to +125 °C
Voltage, Supply
2 to 6 V
Technology
CMOS
Number Of Elements
1
Number Of Bits
8
Logical Function
Shift Register
Operating Supply Voltage (typ)
2.5/3.3/5V
Operating Temp Range
-55C to 125C
Operating Supply Voltage (min)
2V
Operating Supply Voltage (max)
6V
Operating Temperature Classification
Military
Mounting
Through Hole
Pin Count
16
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
MC74HC595ANGOS
Available stocks
Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
MC74HC595ANG
Manufacturer:
ON
Quantity:
2 000
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress
ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied.
Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device
reliability.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C
For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the ON Semiconductor High−Speed CMOS Data Book (DL129/D).
MAXIMUM RATINGS
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Symbol
V
Symbol
in
V
V
V
V
T
t
I
I
V
V
P
V
T
T
, V
r
I
out
CC
CC
out
stg
CC
, t
OH
in
IH
in
D
A
IL
L
f
out
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
DC Input Voltage (Referenced to GND)
DC Output Voltage (Referenced to GND)
DC Input Current, per Pin
DC Output Current, per Pin
DC Supply Current, V
Power Dissipation in Still Air,
Storage Temperature
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
DC Input Voltage, Output Voltage
(Referenced to GND)
Operating Temperature, All Package Types
Input Rise and Fall Time
Minimum High−Level Input
Voltage
Maximum Low−Level Input
Voltage
Minimum High−Level Output
Voltage, Q
(Figure 1)
SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
TSSOP Package: − 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
Parameter
A
− Q
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package)
H
Parameter
Parameter
CC
and GND Pins
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
V
|I
V
|I
V
|I
V
out
out
out
TSSOP Package†
out
out
(Voltages Referenced to GND)
in
in
SOIC Package†
= V
= V
| v 20 mA
| v 20 mA
| v 20 mA
= 0.1 V or V
= 0.1 V or V
IH
IH
Plastic DIP†
V
V
V
CC
CC
CC
Test Conditions
or V
or V
= 2.0 V
= 4.5 V
= 6.0 V
http://onsemi.com
IL
IL
CC
CC
|I
|I
|I
– 0.1 V
– 0.1 V
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
out
out
out
– 0.5 to V
– 0.5 to V
| v 2.4 mA
| v 6.0 mA
| v 7.8 mA
3
– 55
Min
2.0
– 0.5 to + 7.0
– 65 to + 150
0
0
0
0
Value
± 20
± 35
± 75
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
750
500
450
260
CC
CC
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
+ 125
1000
Max
V
500
400
+ 0.5
+ 0.5
6.0
CC
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
V
CC
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Unit
mW
mA
mA
mA
_C
_C
Unit
V
V
V
_C
ns
V
V
– 55 to 25_C
3.15
1.35
2.48
3.98
5.48
1.5
2.1
4.2
0.5
0.9
1.8
1.9
4.4
5.9
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high−impedance cir-
cuit. For proper operation, V
V
range GND v (V
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or V
Unused outputs must be left open.
Guaranteed Limit
out
This device contains protection
Unused inputs must always be
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
should be constrained to the
v 85_C
3.15
1.35
2.34
3.84
5.34
1.5
2.1
4.2
0.5
0.9
1.8
1.9
4.4
5.9
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
in
v 125_C
or V
3.15
1.35
1.5
2.1
4.2
0.5
0.9
1.8
1.9
4.4
5.9
2.2
3.7
5.2
out
) v V
in
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
CC
and
CC
Unit
V
V
V
).
.