MC74VHC08MELG ON Semiconductor, MC74VHC08MELG Datasheet - Page 3
![no-image](/images/manufacturer_photos/0/4/495/on_semiconductor_sml.jpg)
MC74VHC08MELG
Manufacturer Part Number
MC74VHC08MELG
Description
IC GATE AND QUAD 2INPUT 14SOEIAJ
Manufacturer
ON Semiconductor
Series
74VHCr
Datasheet
1.MC74VHC08DR2G.pdf
(7 pages)
Specifications of MC74VHC08MELG
Logic Type
AND Gate
Number Of Inputs
2
Number Of Circuits
4
Current - Output High, Low
8mA, 8mA
Voltage - Supply
2 V ~ 5.5 V
Operating Temperature
-55°C ~ 125°C
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
14-SOIC (5.3mm Width), 14-SOP, 14-SOIJ
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
1. C
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
NOISE CHARACTERISTICS
Symbol
Symbol
t
V
V
A or B
V
t
V
C
PLH
Average operating current can be obtained by the equation: I
no−load dynamic power consumption; P
PHL
C
OLP
OLV
IHD
ILD
PD
PD
in
Y
,
is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load.
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î
t
PLH
Power Dissipation Capacitance (Note 1)
Maximum Propagation
Delay,
A or B to Y
Maximum Input
Capacitance
Quiet Output Maximum Dynamic V
Quiet Output Minimum Dynamic V
Minimum High Level Dynamic Input Voltage
Maximum Low Level Dynamic Input Voltage
50% V
Figure 3. Switching Waveforms
Parameter
CC
50%
(Input t
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î
V
V
r
CC
CC
= t
D
f
= 3.3 ± 0.3 V
= 5.0 ± 0.5 V
= C
= 3.0 ns, C
OL
(Input t
OL
INPUT
Test Conditions
PD
Figure 5. Input Equivalent Circuit
V
Characteristic
t
PHL
r
= t
CC
L
f
2
= 3.0 ns)
http://onsemi.com
= 50 pF, V
f
C
C
C
C
in
L
L
L
L
V
GND
CC
+ I
= 15 pF
= 50 pF
= 15 pF
= 50 pF
CC(OPR
CC
CC
3
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
V
)
= 5.0 V)
= C
CC
.
Min
PD
V
CC
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
T
A
f
= 25°C
Typ
6.2
8.7
4.3
5.8
4
in
Typical @ 25°C, V
+ I
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
CC
*Includes all probe and jig capacitance
/ 4 (per gate). C
Max
12.3
8.8
5.9
7.9
10
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Figure 4. Test Circuit
DEVICE
UNDER
TEST
18
T
A
Min
1.0
1.0
1.0
1.0
CC
= −55°C to 125°C
PD
= 5.0 V
−0.3
Typ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
0.3
OUTPUT
is used to determine the
T
A
= 25°C
Max
10.5
14.0
7.0
9.0
10
Max
−0.8
POINT
0.8
3.5
1.5
TEST
C
L
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î Î Î
Î Î
*
Unit
Unit
pF
pF
ns
V
V
V
V