IRL80 SIEMENS [Siemens Semiconductor Group], IRL80 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: IRL80
• Description: GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter
• Manufacturer: SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]

Grenzwerte (
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur
Lötstelle
Lötzeit
Sodering temperature,
from case bottom, soldering time
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Verlustleistung
Power dissipation
Verringerung der Verlustleistung,
Derate above,
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Kennwerte (
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung bei
Wavelength of peak emission
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
Spectral bandwidth at 50 % of
Abstrahlwinkel
Half angle
Durchlaßspannung,
Forward voltage
Strahlstärke
Radiant intensity
1)
1)
Semiconductor Group
Ein Silizium-Empfänger mit 1 cm
ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet.
A 1 cm
t
= 5 s
2
silicon detector is aligned with the mechanical axis. An aperture is used.
0.15 cm vom Gehäuse,
1)
T
,
T
A
I
T
A
F
= 25 C)
A
= 25 C)
= 20 mA
> 25 C
I
F
= 20 mA
0.15 mm distance
I
I
max
max
t
2
T
= 5 s
A
I
strahlungsempfindlicher Fläche wird nach der mechanischen Achse
max
> 25 C
Symbol
Symbol
T
T
V
I
P
R
Symbol
Symbol
V
I
2
e
F
op
S
peak
R
tot
thJA
F
;
T
stg
Wert
Value
– 40 ... + 100
240
3
60
100
1.33
750
Wert
Value
950
20
30
1.5
0.4
Einheit
Unit
V
mA
mW
mW/ C
K/W
Einheit
Unit
nm
nm
Grad
deg.
V
mW/sr
C
C
IRL 80 A