1di400m-050 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 1di400m-050 Datasheet

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1di400m-050

Manufacturer Part Number
1di400m-050
Description
Power Transistor Module
Manufacturer
Fuji Electric holdings CO.,Ltd
Datasheet

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
1DI400M-050
Manufacturer:
FUJI
Quantity:
1 000
Part Number:
1DI400M-050
Manufacturer:
FUJITSU/富士通
Quantity:
20 000
Part Number:
1DI400M-050
Quantity:
50
1DI400M-050
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ モ ジ ュ ー ル
POWER TRANSISTOR MODULE
POWER TRANSISTOR MODULE
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタ電流
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存温度
質量
絶縁耐圧      AC.1min
締付けトルク
Item
コレクタ・ベース間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
コレクタ・エミッタ間電圧
エミッタ・ベース間電圧
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
コレクタ・エミッタ間電圧
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ飽和電圧
ベース・エミッタ飽和電圧
スイッチング時間
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード
フリーホイリングダイオード内蔵 
熱 抵 抗
電気的特性
電気的特性
Item
電気的特性
電気的特性
電気的特性
hFE
hFE
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 
絶縁形 Insulated Type
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性
熱的特性 : : : : : Thermal characteristics
hFE
hFE
hFE が高い 
定 格 と 特 性
定 格 と 特 性
絶 対 最 大 定 格
絶 対 最 大 定 格
スイッチングスピード
スイッチングスピード
スイッチングスピード
スイッチングスピード
スイッチングスピードが速い
大電力
大電力
大電力
大電力
大電力スイッチング
ACモータ
ACモータ
ACモータ制御用 
ACモータ
ACモータ
DCモータ
DCモータ
無停電電源装置
無停電電源装置
DCモータ
DCモータ制御用 
DCモータ
無停電電源装置
無停電電源装置
無停電電源装置 Uninterrupyible Power Supply
用途
用途
用途: : : : : Applications
用途
用途
特長
特長
特長
特長
特長: : : : : Features
が高い 
が高い 
が高い 
が高い High DC Current Gain
制御用 
制御用 
制御用 AC
制御用 
制御用 
制御用 DC
制御用 
制御用 
スイッチング
スイッチング
スイッチング
スイッチング          High Power Switching
Electrical characteristics (T
: Maximum ratings and characteristic
AC AC
AC AC Motor Controls
 DC
DC DC
DC DC Motor Controls
が速い
が速い
が速い
が速い H H H H High speed switching
D C
1ms
1ms
one Transistor
DC
内蔵 
内蔵 
内蔵 
内蔵 Including Free Wheeling Diode
Symbol
V
V
V
V
I
I
-Ic
I
I
P
T
T
m
Viso
Mounting *1
Terminal *2
B
R
R
R
C
CP
BP
Symbol
C
j
stg
Symbol
V
V
V
V
V
I
I
-V
h
V
V
t
t
t
CBO
CEO
CEO(SUS)
EBO
CBO
EBO
on
stg
f
th(j-c)
th(j-c)
th(c-f)
FE
CBO
CEO
CEO(SUS)
CEX(SUS)
EBO
CE(Sat)
BE(Sat)
CE
c
(400A)
=25°C unless otherwise specified)
Rating
With Thermal Compound
Test Conditions
I
I
I
I
V
V
-Ic=400A
I
I
I
I
誘導負荷
CBO
CEO
C
EBO
C
C
C
B1
Transistor
Fast Recovery Diode
-40 to +125
CBO
EBO
Test Conditions
= 1A
= 400A, V
= 400A, I
= 400A
1500
+150
2500
= +0.2A, I
600
600
450
400
800
470
400
= 800mA
= 2mA
= 2mA
10
24
48
= 10V
= 600V
4.5
4.5
1.7
B
CE
= 0.2A
B2
= 2.5V, Tj=125 °C
= -6.0A, V
Unit
°C
°C
N・m
N・m
W
g
V
V
V
V
A
A
A
A
A
V
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE
CE
=300V
Note:
*1:推奨値 Recommendable Value;
*2:推奨値 Recommendable Value;
CASE
CASE
CASE
UL
UL
UL
CASE
CASE
UL
UL
外形寸法
外形寸法
外形寸法: : : : : Outline Drawings
外形寸法
外形寸法
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路
等 価 回 路 : : : : :
Equivalent Circuit Schematic
Min.
Min.
450
2000
600
600
M109
M109
M109
M109
M109
3.5to4.0N・m[35to40kgf・cm](M6)
1.4to1.6N・m[14to16kgf・cm](M4)
3.5to4.0N・m[35to40kgf・cm](M6)
10
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
E82988(M)
-
Typ.
Typ.
-
Max.
800
Max.
0.25
0.083
0.02
2.0
1.5
2.5
3.0
8.5
8.0
2.0
Units
Units
°C/W
°C/W
°C/W
V
V
V
V
V
mA
mA
V
-
V
V
µs
µs
µs
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