1di200m-120 Fuji Electric holdings CO.,Ltd, 1di200m-120 Datasheet

1di200m-120

Manufacturer Part Number

1di200m-120

Description

Power Transistor Module

Manufacturer

Fuji Electric holdings CO.,Ltd

Datasheet

1.1DI200M-120.pdf (3 pages)

Available stocks

Company

Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

1DI200M-120

Manufacturer:

FUJI

Quantity:

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

1DI200M-120

Manufacturer:

FUJI

Quantity:

492

Company:

Meier Automation Equipment Co., Limited

Part Number:

1DI200M-120

Manufacturer:

FUJITSU/富士通

Quantity:

20 000

Company:

HONG KONG JIETUO ZIJING INTERNATIONAL TRADING CO., LIMITED

Part Number:

1DI200M-120

Quantity:

Current page: 1 of 3
Download datasheet (405Kb)

1DI200M-120

パワートランジスタモジュール

Item

コレクタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタ電流

ベース電流

コレクタ損失

接合部温度

保存温度

質量

絶縁耐圧 AC.1min

締付けトルク

Item

コレクタ・ベース間電圧

コレクタ・エミッタ間電圧

エミッタ・ベース間電圧

コレクタしゃ断電流

エミッタしゃ断電流

コレクタ・エミッタ間電圧

直流電流増幅率

コレクタ・エミッタ飽和電圧

ベース・エミッタ飽和電圧

スイッチング時間

短絡耐量

ﾌﾘｰﾎｲﾘﾝｸﾞﾀﾞｲｵｰﾄﾞ

ﾌﾘｰﾎｲﾘﾝｸﾞﾀﾞｲｵｰﾄﾞ内蔵

ﾌﾘｰﾎｲﾘﾝｸﾞﾀﾞｲｵｰﾄﾞ

ロボット

ロボット URobotics(Servo Drive for Robots)

熱抵抗

NC NC NC NC NC 工作機

電気的特性

Item

hFE

絶縁形

絶縁形 Insulated Type

定格と特性

絶対最大定格

Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)

熱的特性

熱的特性 : : : : : Thermal characteristics

短絡耐量が高い

短絡耐量が高い H H H H High Arm Short Circuit Capability

短絡耐量が高い

hFE

hFE が高い

hFE

汎用

汎用ｲﾝﾊﾞｰﾀ

定格と特性

絶対最大定格

汎用

無停電電源装置

無停電電源装置 Uninterruptible Power Supply

溶接機等の

溶接機等のｽｲｯﾁﾝｸﾞ

溶接機等の

用途

用途：：：：： Applications

特長

特長：：：：： Features

特長

工作機

工作機 Servo & Spindle Drive for NC Machine Tools

が高い

が高い High DC Current Gain

が高い

ｲﾝﾊﾞｰﾀ

ｲﾝﾊﾞｰﾀ General Purpose Inverter

：

USwitching Power Supplies for Welding Machines

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ電源

ｽｲｯﾁﾝｸﾞ

Electrical characteristics (T

: Maximum ratings and characteristic

D C

1ms

one Transistor

内蔵

内蔵 Including Free Wheeling Diode

内蔵

電源

Symbol

-Ic

Viso

Mounting *1

Terminal *2

Symbol

stg

Symbol

-V

CBO

CEO

CEO(SUS)

EBO

CBO

stg

th(j-c)

th(c-f)

CEO(SUS)

CEX(SUS)

EBO

CE(Sat)

BE(Sat)

CBO

CEO

(200A)

=25°C unless otherwise specified)

Rating

P O W E R T R A N S I S T O R M O D U L E

Test Conditions

-Ic=200A

With Thermal Compound

CBO

CEO

EBO

Transistor

Fast Recovery Diode

-40 to +125

CBO

EBO

Test Conditions

= 200A, V

= 200A, I

= 200A

=0.1A, I

1200

1400

+150

2500

= +0.2A, I

900

200

400

470

= -3V

200

= 4mA

= 800mA

= 10V

= 1200V

3.5

1.7

4.5

=-0.3A, P

= 200mA

= 4V, Tj=125 °C

= -4.0A

Unit

°C

N･m

=50 µ s

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE

Note:

*1:推奨値 Recommendable Value;

*2:推奨値 Recommendable Value;

CASE

外形寸法

外形寸法: : : : : Outline Drawings

外形寸法

等価回路

等価回路 : : : : :

Equivalent Circuit Schematic

外形寸法

等価回路

Min.

1200

1000

750

M109

2.5to3.0N･m[25to30kgf･cm](M5)

1.3to1.7N･m[13to17kgf･cm](M4)

3.5to4.5N･m[35to45kgf･cm](M6)

E82988(M)

Typ.

0.0125

6000

Max.

800

Max.

0.35

15.0

0.089

4.0

2.0

4.0

4.5

7.0

3.0

Units

°C/W

µs

Related parts for 1di200m-120

1di200m-120 Summary of contents

Page 1

... 1DI200M-120 パワートランジスタモジュールパワートランジスタモジュールパワートランジスタモジュール ...

Page 2

... Characteristics FUJI POWER TRANSISTOR MODULE 2 ...

Page 3

... FUJI POWER TRANSISTOR MODULE 3 ...

Related keywords

1di200m-120 datasheet
1di200m-120 data sheet
1di200m-120 pdf datasheet
1di200m-120 component
1di200m-120 part
1di200m-120 distributor
1di200m-120 RoHS
1di200m-120 datasheet download