m368l2923fln Samsung Semiconductor, Inc., m368l2923fln Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: m368l2923fln
• Description: Ddr Sdram Unbuffered Module
• Manufacturer: Samsung Semiconductor, Inc.

512MB, 1GB Unbuffered DIMM
6.2 1GB, 128M x 64 Non ECC Module (M368L2923FLN)
BA0 - BA1
A0 - A12
CKE 0/1
CS1
CS0
DQS0
DM0
DQS1
DM1
DQS2
DM2
DQS3
DM3
RAS
CAS
WE
SCL
WP
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
SA0
A0
Serial PD
DM/
DM/
DM/
DM/
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 5
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 7
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 5
I/O 4
I/O 1
I/O 0
I/O 7
I/O 6
I/O 3
I/O 2
I/O 5
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 7
I/O 4
I/O 3
I/O 2
BA0-BA1 : DDR SDRAMs D0 - D15
A0-A12: DDR SDRAMs D0 - D15
RAS : DDR SDRAMs D0 - D15
CAS : DDR SDRAMs D0 - D15
CKE : DDR SDRAMs D0 - D15
WE : DDR SDRAMs D0 - D15
SA1
A1
SA2
CS DQS
CS DQS
CS DQS
CS DQS
D0
D1
D2
D3
A2
SDA
DM/
DM/
DM/
DM/
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 2
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 0
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 2
I/O 3
I/O 6
I/O 7
I/O 0
I/O 1
I/O 4
I/O 5
I/O 2
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 0
I/O 3
I/O 4
I/O 5
(Populated as 2 Rank of x8 DDR SDRAM Module)
CS DQS
CS DQS
CS DQS
CS DQS
D8
D9
D10
D11
V
V
V
V
DDSPD
DD
REF
SS
*Clock Net Wiring
/V
Clock Input
DDQ
*CK0/CK0
*CK1/CK1
*CK2/CK2
DQS4
DM4
DQS5
DM5
DQS6
DM6
DQS7
DM7
* Clock Wiring
5 of 15
4 DDR SDRAMs
6 DDR SDRAMs
6 DDR SDRAMs
DDR SDRAMs
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM/
DM/
DM/
DM/
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 2
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 0
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 2
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 0
I/O 7
I/O 6
I/O 1
I/O 0
I/O 5
I/O 4
I/O 3
I/O 2
SPD
D0 - D15
D0 - D15
D0 - D15
D0 - D15
CS DQS
CS DQS
CS DQS
CS DQS
D4
D5
D6
D7
Note :
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recommended
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 3 Ohms + 5%
but may be changed.
be maintained as shown.
CK0/1/2
CK0/1/2
DM/
DM/
DM/
DM/
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 7
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 5
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 7
I/O 0
I/O 1
I/O 6
I/O 7
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
Card
Edge
R=120
Rev. 1.01 August 2008
CS DQS
CS DQS
CS DQS
CS DQS
D12
D13
D14
D15
Ω
DDR SDRAM
*
D3/D0/D5
D11/D8/D13
*
D4/D2/D7
D12/D10/D15
Cap/D1/D6
Cap/D9/D14