mje127 ON Semiconductor, mje127 Datasheet

mje127

Manufacturer Part Number

mje127

Description

Complementary Silicon Power Darlingtons

Manufacturer

ON Semiconductor

Datasheet

1.MJE127.pdf (8 pages)

Current page: 1 of 8
Download datasheet (268Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

MOTOROLA

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

Complementary Power

Darlingtons

For Isolated Package Applications

mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink

or chassis.

* Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface (in a location beneath the die), the device mounted on

(1) Proper strike and creepage distance must be provided.

MAXIMUM RATINGS

THERMAL CHARACTERISTICS

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

a heatsink with thermal grease and a mounting torque of

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

RMS Isolation Voltage (1)

Collector Current — Continuous

Base Current

Total Power Dissipation* @ T C = 25 _ C

Total Power Dissipation @ T A = 25 _ C

Operating and Storage Junction Temperature Range

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case*

Lead Temperature for Soldering Purpose

Designed for general–purpose amplifiers and switching applications, where the

Motorola, Inc. 1995

Electrically Similar to the Popular TIP122 and TIP127

100 V CEO(sus)

5 A Rated Collector Current

No Isolating Washers Required

Reduced System Cost

High DC Current Gain — 2000 (Min) @ I C = 3 Adc

UL Recognized, File #E69369, to 3500 V RMS Isolation

(for 1 sec, R.H. < 30%,

T A = 25 _ C)

Derate above 25 _ C

Peak

Characteristic

Rating

6 in. lbs.

Test No. 1 Per Fig. 14

Test No. 2 Per Fig. 15

Test No. 3 Per Fig. 16

Î Î Î Î Î

Symbol

T J , T stg

V ISOL

V CEO

R JA

R JC

V CB

V EB

P D

T L

I C

I B

Î Î Î Î Î Î

POWER DARLINGTONS

COMPLEMENTARY

MJF122

MJF127

– 65 to + 150

CASE 221D–02

5 AMPERES

TO–220 TYPE

100 VOLTS

Value

Order this document

30 WATTS

0.016

4500

3500

1500

0.12

0.24

Max

62.5

SILICON

100

260

4.1

NPN

PNP

by MF122/D

Î Î Î

V RMS

Watts

W/ _ C

Watts

W/ _ C

_ C/W

Unit

Vdc

Adc

_ C

I C

Related parts for mje127

mje127 Summary of contents

Page 1

... Measurement made with thermocouple contacting the bottom insulated mounting surface (in a location beneath the die), the device mounted on a heatsink with thermal grease and a mounting torque of (1) Proper strike and creepage distance must be provided. Motorola, Inc. 1995 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data Rating Test No. 1 Per Fig. 14 Test No. 2 Per Fig. 15 Test No ...

Page 2

... 250 0 0. 0.05 0.1 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...

Page 3

... LIMIT THERMAL LIMIT @ 0 (SINGLE PULSE) 0 COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) Figure 5. Maximum Forward Bias Safe Operating Area Motorola Bipolar Power Transistor Device Data 100 120 140 T, TEMPERATURE ( C) Figure 3. Maximum Power Derating ...

Page 4

... Figure 8. Typical DC Current Gain 2.6 2.2 1.8 1 0.3 0.5 0.7 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data PNP NPN 0 REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 7. Typical Capacitance PNP MJF127 0.3 0.5 0 ...

Page 5

... 150 100 –1 – 0.6 – 0.4 – 0 0.2 + 0 BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS) Figure 12. Typical Collector Cut–Off Region Motorola Bipolar Power Transistor Device Data 2 0.1 0.2 Figure 10. Typical “ ...

Page 6

... FULLY ISOLATED PACKAGE CLIP 0.107” MIN LEADS HEATSINK Figure 15. Clip Mounting Position for Isolation Test Number 2 MOUNTING INFORMATION Figure 17. Typical Mounting Techniques* Motorola Bipolar Power Transistor Device Data PNP MJF127 COLLECTOR 8 k 120 EMITTER MOUNTED FULLY ISOLATED PACKAGE 0.107” MIN ...

Page 7

... –Y– 0.25 (0.010) M Motorola Bipolar Power Transistor Device Data PACKAGE DIMENSIONS SEATING –T– PLANE C NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI S Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH STYLE 2: CASE 221D–02 TO– ...

Page 8

... JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi–SPD–JLDC, Toshikatsu Otsuki, 6F Seibu–Butsuryu–Center, 3–14–2 Tatsumi Koto–Ku, Tokyo 135, Japan. 03–3521–8315 HONG KONG: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park, 51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data *MJF122/D* MJF122/D ...

Related keywords

mje127 datasheet
mje127 data sheet
mje127 pdf datasheet
mje127 component
mje127 part
mje127 distributor
mje127 RoHS
mje127 datasheet download