mt3s111p TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, mt3s111p Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: mt3s111p
• Description: ???????? ??????????npn????????????
• Manufacturer: TOSHIBA Semiconductor CORPORATION

マイクロ波特性 (Ta = 25°C)
電気的特性 (Ta = 25°C)
取り扱い上の注意 :
本製品は、f
取り扱いに際しては、作業台・人・半田ごて等に対して、必ず静電気対策を講じて、十分に注意をお願いいたします。
ト ラ ン ジ シ ョ ン 周 波 数
挿
雑
3
イ ン タ ー セ プ ト ポ イ ン ト
コ
直
コ
帰
注 2: C
レ
次
レ
流
入
re
ク
相
は 3 端子法でエミッタ端子をブリッジのガード端子に接続して測定する。
ク
T
音
電
還
=60 GHzクラスの高周波トランジスタープロセスを用いており、静電気に対し構造的に弱い製品ですので、
項
項
互
タ
電
タ
変
し
流
出
力
調
ゃ
目
目
指
増
容
力
歪
断
利
幅
容
出
電
得
数
力
流
率
量
量
|S
|S
記 号
記 号
NF(1)
NF(2)
21e
21e
OIP
I
hFE
CBO
C
C
f
T
ob
re
|
|
2
2
3
(1)
(2)
V
V
V
V
V
V
⊿f=1 MHz
V
V
V
V
CE
CE
CE
CE
CE
CE
CB
CE
CB
CB
=5 V, I
=5 V, I
=5 V, I
=5 V, I
=5 V, I
=5 V, I
=5 V, I
=5 V, I
=5 V, I
=5 V, I
2
測 定 条 件
測 定 条 件
C
C
C
C
C
C
E
C
E
E
=0 A
=0 A, f=1 MHz
=0 A, f=1 MHz (注 2)
=30 mA
=30 mA, f=500 MHz
=30 mA, f=1 GHz
=30 mA, f=500 MHz
=30 mA, f=1 GHz
=30 mA, f=500 MHz,
=30 mA
最小
最小
200
8.5
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
6
標準
標準
10.5
0.95
0.7
1.6
16
32
⎯
⎯
8
1
最大
1.25
最大
MT3S111P
400
0.1
1.3
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
2009-03-31
dBmW
単位
GHz
単位
dB
dB
dB
dB
μA
pF
pF
⎯