PBSS4350S Philips Semiconductors, PBSS4350S Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: PBSS4350S
• Description: 50 V low VCEsat NPN transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2001 Nov 19
handbook, halfpage
handbook, halfpage
50 V low V
V CEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
C
(mV)
CE
/I
h FE
B
600
500
400
300
200
100
= 2 V.
10
10
= 20.
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
1
0
10
10
3
2
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
1
1
CEsat
10
10
(1)
(2)
(3)
NPN transistor
10
10
(1)
(3)
2
2
(2)
10
10
3
I C (mA)
3
I C (mA)
MLD758
MLD760
10
10
4
4
4
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V BEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
C
(V)
V BE
CE
/I
(V)
B
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
= 2 V.
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
= 20.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
1
0
10
1
0
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
1
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
1
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
10
10
(1)
(2)
(3)
10
10
(1)
(2)
(3)
2
2
PBSS4350S
Product specification
10
10
3
3
I C (mA)
I C (mA)
MLD759
MLD761
10
10
4
4