PBSS2515F Philips Semiconductors, PBSS2515F Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: PBSS2515F
• Description: low VCEsat NPN transistor
• Manufacturer: Philips Semiconductors

Philips Semiconductors
2001 Sep 21
handbook, halfpage
handbook, halfpage
15 V low V
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
V CEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
C
(mV)
CE
/I
h FE
B
600
400
200
= 2 V.
10
10
= 20.
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
10
1
3
2
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
1
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
CEsat
1
1
(1)
(2)
(3)
(2)
NPN transistor
10
10
(1)
(3)
10
10
2
2
I C (mA)
I C (mA)
MLD675
MLD671
10
10
3
3
4
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V BEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
C
(mV)
CE
(mV)
/I
V BE
1200
1000
1200
1000
B
800
600
400
200
800
600
400
200
= 2 V.
= 20.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
10
10
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
1
1
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
PBSS2515F
Product specification
10
10
2
2
I C (mA)
I C (mA)
MLD673
MLD674
10
10
3
3