2SA2186 Sanyo Semicon Device, 2SA2186 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: 2SA2186
• Description: PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
• Manufacturer: Sanyo Semicon Device

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Package Dimensions
unit : mm
7519-003
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
1000
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
100
--0.01
0.9
0
7
5
3
2
7
5
3
2.54
0
1
--0.2
2
Parameter
6.9
Collector-to-Emitter Voltage, V CE -- V
2
--0.4
3
--0.6
Collector Current, I C -- A
5
3
0.6
0.5
2.54
7
--0.8
I C -- V CE
h FE -- I C
--0.1
1.45
--1.0
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : NMP
2
2.5
--1.2
3
0.45
V (BR)CBO
V (BR)CEO
V (BR)EBO
1.0
Symbol
--1.4
5
t stg
t on
t f
7
--1.6
--1.0
V CE = --2V
I B =0mA
--1.8
I C =--10 A, I E =0A
I C =--1mA, R BE =
I E =--10 A, I C =0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
IT10526
IT10528
2
--2.0
3
2SA2186
Conditions
Switching Time Test Circuit
1000
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
100
I C =10I B1 = --10I B2 = --0.7A
--0.01
7
5
3
2
7
5
0
0
V CE = --2V
INPUT
PW=20 s
D.C. 1%
2
--0.2
3
Base-to-Emitter Voltage, V BE -- V
50
V R
V BE =5V
Collector Current, I C -- A
5
--0.4
7
min
--0.1
I C -- V BE
--50
--50
I B1
100 F
I B2
R B
f T -- I C
--6
+
--0.6
Ratings
2
typ
200
3
35
24
I C
470 F
+
--0.8
V CC = --25V
5
max
7
OUTPUT
R L
V CE = --10V
--1.0
No. A0269-2/4
--1.0
IT10527
IT10529
Unit
2
ns
ns
ns
V
V
V
--1.2
3