3SK321 Hitachi Semiconductor, 3SK321 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: 3SK321
• Description: Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
• Manufacturer: Hitachi Semiconductor

Main Characteristics
L1：
L3：
900MHz Power Gain, Noise Test Circuit
10
Input
21
29
L1
C4∼C6
C1, C2
R1
C4
V G1
C3
R1
R2
R3
L2
C1
：
：
：
：
：
：
V G2
RFC：φ1mm Copper wire with enamel 4turns inside dia 6mm
G1
G2
C5
Variable Capacitor（10pF MAX)
Disk Capacitor（1000pF)
Air Capacitor（1000pF)
47 kΩ
47 kΩ
4.7 kΩ
R2
C3
L4：
L2：
D
R3
S
V D
C6
L3
26
18
RFC
C2
L4
Output
（φ1mm Copper wire）
Unit：mm
3SK321
3