ATP106 Sanyo Semicon Device, ATP106 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: ATP106
• Description: P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
• Manufacturer: Sanyo Semicon Device

1000
100
--35
--30
--25
--20
--15
--10
1.0
10
10
--5
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
--0.1
--0.1
0
7
5
3
2
7
5
3
2
7
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
0
0
V DD = --20V
V GS = --10V
Tc=25 ° C
Single pulse
--1
I D = --8A
--0.2
2
2
--2
3
3
--0.4
--3
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--4
5 7
5 7
--15A
--0.6 --0.8 --1.0
--5
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
--1.0
--1.0
SW Time -- I D
--6
I D -- V DS
|
y
--7
fs | -- I D
t d (on)
2
2
--8
3
3
--9
--1.2 --1.4
5 7
5 7
--10
--11
--10
--10
--12
--1.6
Tc=25 ° C
Single pulse
V DS = --10V
Single pulse
--13
2
2
--14
3
3
--1.8
IT15122
IT15124
IT15126
IT15128
--15
5 7
5 7
--2.0
--16
ATP106
--0.001
--0.01
--100
1000
--1.0
--0.1
--10
100
--50
--45
--40
--35
--30
--25
--20
--15
--10
--5
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
--0.2
0
0
5
--50
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
2
7
5
3
2
7
0
0
V DS = --10V
Single pulse
V GS =0V
Single pulse
--0.5
--25
--5
--0.4
--1.0
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
--10
0
Case Temperature, Tc -- ° C
--1.5 --2.0
--0.6
R DS (on) -- Tc
--15
25
I D -- V GS
I S -- V SD
--0.8
--2.5
--20
50
www.DataSheet4U.com
--3.0
--25
75
--1.0
--3.5
100
--30
No. A1597-3/4
--4.0
Single pulse
--1.2
f=1MHz
125
--35
--4.5
IT15123
IT15125
IT15127
IT15129
--5.0
--1.4
150
--40