MCP1650 Microchip Technology, MCP1650 Datasheet - Page 18

• Manufacturer Part Number: MCP1650
• Description: MCP1650/51/52/53 is a 750 kHz gated oscillator boost controller packaged in an 8 or 10-pin MSOP package. Developed for high-power, ...
• Manufacturer: Microchip Technology

为了确定非连续工作模式的最大电感值，将每次开关周
期中流入电感的能量乘以每秒的周期数 （开关频率）。
该值必须比最大输入功率还大。
下面为流入电感的能量方程。系统输入功率等于能量乘
以时间。
电感峰值电流通过下面的方程计算：
采用一个 3.3 µH 的典型电感， 此电感中的峰值电流计算
如下：
在 3.8V 和 3.8V 以下时，工作在连续模式的转换器电压
能够升至 14V。
对于本例， 3.3 µH 的电感显得太大，选择一个 2.2 µH
的电感。
由于电感的减小，所有负载输入中吸收的峰值电流上
升。高升压比中的电感值最好选为维持非持续工作时所
需要的最大电感值。
对于低升压比的应用 （3.3V 至 5.0V） ， 建议使用 3.3 µH
或更大些的电感。处在这些情况时，电感工作在持续电
流模式。
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Energy (2.8V) = 1.35 µJ
Power (2.8V) = 1.01 W
Energy at 3.8V = 1.22 µJ
Energy at 3.8V = 1.83 µJ
Energy (2.8V) = 2.02 µJ
Power (2.8V) = 1.52 W
I
PK
I
I
PK
PK
I
PK
(2.8V) = 905 mA
F
T
Power = 0.914 W
Power = 1.4 W
(3.8V) = 860 mA
(2.8V) = 1.36A
(3.8V) = 1.29A
SW
ON
F
T
SW
ON
Energy
= 750 kHz
= (1/F
I
= 750 kHz
= (1/F
PK
=
=
SW
V
--------
L
SW
IN
1
-- -
2
* 占空比 )
×
×
* 占空比 )
L
T
×
ON
I
2
PK
5.2.2
升压设计中选择合适的MOSFET需要考虑几个关键点。
建议使用低 R
5.2.2.1
1.
2.
选择低 R
低 R
延缓 MOSFET 的转变时间和增加开关损失。
5.2.3
外部升压二极管同样以开关频率切换导通和关断，并且
需要很快的导通和关断时间。大多数应用中建议采用肖
特基二极管。肖特基二极管的额定电压值必须为最大升
压输出电压。例如 12V 输出升压转换器中，二极管的额
定电压应为 12V 加上偏差。对于 12V 输出应用，建议
采用 20V 或 30V 的肖特基二极管。肖特基二极管同样
有低正向压降的特性，这又是一个开关电源应用中所希
望的特性。
IRLM2502 N 沟道 MOSFET
R
R
V
DSON
DSON
V
额定电压值——MOSFET 漏源电压的最小额定
值为 V
输出的转换器中， MOSFET 漏源极之间的额定
电压值为 12V + 0.5V。 一般认为一个 20V 的元件
可用来输出 12V 的电压。
逻辑电平 R
负担很大的电流。此时 MOSFET 中的峰值电流
也变得十分高。在这个例子中，一个 SOT-23 封
装的 MOSFET 具有以下额定值：
BDS
DSON
Q
GS
G
DSON
= 20V （漏源击穿电压）
= 50 mΩ （V
= 35 mΩ （V
= 所有门极电量 = 8 nC
= 0.6V 至 1.2V （门源阈值电压）
OUT
常常导致很高的门极电荷和输入电容，从而
MOSFET 选择
二极管选择
DSON
MOSFET 选择过程
的 MOSFET 并不总是更好或者更有效。
+ 外部升压二极管的 V
DSON
逻辑电平 N 沟道 MOSFET。
——MOSFET 在升压周期期间
 2004 Microchip Technology Inc.
GS
GS
= 2.5V）
= 5.0V）
FD
。例如 12V