MCH5818 Sanyo Semiconductor Corporation, MCH5818 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: MCH5818
• Description: Mosfet : P-channel Silicon Mosfet SBD : Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

Switching Time Test Circuit
[MOSFET]
--0.4
--0.2
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
0
0
--10V
P.G
0V
PW=10 s
D.C. 1%
--0.1
--0.1A
V IN
--2
--0.2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--0.8A
--0.3
V IN
R DS (on) -- V GS
I D = --0.4A
--4
50
G
I D -- V DS
--0.4
--0.5
V DD = --10V
--6
D
--0.6
S
I D = --0.8A
R L =12.5
--8
MCH5818(MOSFET)
--0.7
V GS = --2.5V
V OUT
--0.8
--10
Ta=25 C
--0.9
IT05613
IT07180
MCH5818
--1.0
--12
t rr Test Circuit
[SBD]
Duty 10%
10 s
--2.0
--1.8
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
--60
0
50
V DS = --10V
--40
--0.5
--20
--5V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Ambient Temperature, Ta -- C
100
--1.0
0
R DS (on) -- Ta
20
I D -- V GS
--1.5
40
10
60
--2.0
80
--2.5
100
120
No.7754-3/5
t rr
--3.0
140
IT07179
IT05616
--3.5
160