MCH5810 Sanyo Semiconductor Corporation, MCH5810 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: MCH5810
• Description: Mosfet : P-channel Silicon Mosfet SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

0.01
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
1.0
0.1
1.0
10
--0.001
--0.01
--0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
0
5
3
2
7
0
V DS = --10V
I D = --400mA
0.1
2
2
3
0.2
5 7
3
Total Gate Charge, Qg -- nC
--0.01
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
0.3
SW Time -- I D
R DS (on) -- I D
5
2
V GS -- Qg
y
7
0.4
2
fs -- I D
--0.1
3
0.5
3
5 7
--0.1
2
0.6
3
V DS = --15V
V GS = --4.5V
0.7
2
V GS = --2.5V
V DS = --10V
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
5
3
5
0.8
IT07657
IT08698
IT08944
IT08165
5 7 --1.0
7
MCH5810
--1.0
0.9
7
--0.001
--0.01
--0.01
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
1.0
60
50
40
30
20
10
--0.01
0
2
--0.1
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
Ta=25 C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
2
--0.2
2
--5
Ciss, Coss, Crss -- V DS
3
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Operation in this
area is limited by R DS (on).
3
--0.4
5
Drain Current, I D -- A
--10
7
R DS (on) -- I D
5
--1.0
I F -- V SD
--0.6
7
A S O
--0.1
--15
2
--0.8
3
2
5
--20
2
0.8mm) 1unit
7 --10
--1.0
3
V GS = --4.5V
No.8194-4/6
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
--25
10 s
--1.2
V GS =0
5
2
IT08697
IT08163
IT08700
IT08701
3
7
--1.0
--1.4
--30
5