SD484XP67K65 SL, SD484XP67K65 Datasheet - Page 15

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SD484XP67K65

Manufacturer Part Number
SD484XP67K65
Description
SD484XP67K65
Manufacturer
SL
Datasheet
www.DataSheet4U.com
根据输出额定电压与额定电流值确定次级整流二极管
根据电压与电流纹波确定次级输出滤波电容
波器的转折频率一般设置为开关频率的 1/10~1/5。
设计 RCD 缓冲网络
其中的二极管的选择:二极管的恢复时间太短,会产生过高的漏端振荡而导致 EMI 问题,稍长的
恢复时间可以把电容上的能量传到次级回路,从而提高效率。
的阻值,L
设计反馈补偿网络
个零点补偿就可以实现。
杭州士兰微电子股份有限公司
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输出整流二极管的反向最大电压为:
电流能力为前面的 I
输出电容的纹波电流为:
I
输出电压纹波为:
其中:C
由于电解电容器有较大的 ESR,为了满足纹波的规格要求,有时后面会加上 LC 滤波器。该滤
RCD 用来嵌位漏感尖峰产生的漏端电压,保证 MOSFET 的漏端电压不会超过耐压值。
RCD 可以用来降低噪音和提高 EMI 性能。由于降低了电流变化的速度,可以提高 EMI 性能。
RCD 上缓冲电阻的功耗:
其中 V
RCD 上缓冲电容的纹波:
在瞬态冲击下的缓冲电容的最大电压值:
由此得到 MOSFET 的最大电压值:V
保证 MOSFET 耐压值有一定的余量。
SD484X 的反馈网络如图 14 所示。由于采用电流模式控制,整个电路只要采用一个极点和一
对于 CCM 模式,从 SD484X 的 FB 到输出的传递函数表示如下。
rmss
为次级电流的有效值,I
lk
SC
为漏感的电感值,I
O
为缓冲电容上的电压,一般设定比反射电压的高 50 伏到 100 伏,R
为输出电容大小,R
ΔV
rmss
O
=
P
I
ΔV
I
caps
O
pk
LOSS
C
D
SC
O
o
为初级的峰值电流,f
MAX
SD484XP67K65 评估板 EK01_V1.1 说明书
f
=
C
s
为输出电流。
=
=
输出电容的 ESR 电阻。
C
I
+
rmss
V
R
SC
SC
I
SR
V
pk
V
R
dsmax
n
SC
2
2
R
DR
SR
c
=
I
f
=
o
V
s
1
2
2
SCMAX
=V
V
L
O
lk
max
I
+
pk
V
2
+V
=
max
f
n
s
s
为开关频率。
SCMAX
2
1
R
SC
SD484XP67K65_AN01
L
.
lk
f
s
I
lim
版本号: 1.3
SR
为缓冲电阻
共 26 页 第 15 页
2008.12.17

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