TPD7000AF TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, TPD7000AF Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: TPD7000AF
• Description: 4-ch ????????MOS FET????
• Manufacturer: TOSHIBA Semiconductor CORPORATION

ブロック図
端子説明
4, 9, 16,
端子番号
13, 24
14, 23
15, 22
1, 12,
2, 11,
3, 10,
6, 7
21
17
18
19
20
5
8
IN1, IN2,
IN3, IN4
端子記号
OPOUT
DIAG1,
DIAG2,
DIAG3,
VGS1,
VGS2,
VGS3,
DIAG4
VDS1,
VDS2,
VDS3,
VGS4
VDS4
OPIN
GND
V
ENB
V
N.C
DH
DL
パワーMOS FET のゲートドライブ端子。パワーMOS FET は 1mA (標準) の定電流で充電されます。
また、ゲート保護としてゲート電圧は 14V (標準) でクランプされます。
過電流状態 (V
能が働きます。ラッチは入力信号の再入力により解除されます。
パワーMOS FET のドレイン・ソース間電圧モニタ端子。パワーMOS FET の状態を監視し、DIAG を
出力させます。
入力端子。プルダウン抵抗が接続されており、入力の配線がオープンとなっても出力が誤って ON す
ることはありません。
診断出力端子。 V
レベルを、V
パワーMOS FET のゲートドライブ電源端子。
接地端子。
OP 機能出力端子。回路構成は npn オープンコレクタです。
OP 機能入力端子。
イネーブル端子。ENB = "L" 時には INHIBIT 機能が動作し、入力信号にかかわらずスタンバイ状態と
なります。
制御回路用電源端子。
DS
DS
判定電圧値以下では DIAG に "H" レベルを出力します。
DS
大) となった場合には、パワーMOS FET を保護するためシャットダウンしラッチ機
端子の電圧をモニタしており、 V
2
端子の説明
―
DS
判定電圧値以上となったときには DIAG に "L"
TPD7000AF
2006-10-31